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F05B23VR 发布时间 时间:2025/5/20 22:02:58 查看 阅读:2

F05B23VR 是一款由知名半导体厂商生产的高压 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和良好的热性能。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,适合大功率应用环境。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:5.1A
  导通电阻:0.45Ω
  栅极电荷:17nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

F05B23VR 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力,能够承受高达 600V 的漏源电压,适用于高压应用场景。
  2. 低导通电阻 (0.45Ω),有效降低功率损耗并提升系统效率。
  3. 快速开关性能,支持高频操作,满足现代电子设备对效率的要求。
  4. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下正常运行 (-55℃ 至 175℃)。
  5. 可靠的电气性能,经过严格的质量测试以确保长期使用中的稳定性和耐用性。
  6. 封装形式多样,便于不同场景下的设计和安装需求。

应用

F05B23VR 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,用于高效能量转换。
  2. 电机驱动控制,包括家用电器、工业设备中的小型电机。
  3. LED 照明驱动电路,提供稳定电流输出以保证照明效果。
  4. 电池充电管理系统,实现精确的充放电控制。
  5. 各类高压开关应用,如电磁阀驱动和逆变器模块。

替代型号

FQP18N60C, IRFZ44N, STP55NF06L

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