时间：2025/8/2 7:00:40
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TPH7R506NH 是一款由 Toshiba（东芝）公司推出的 N 沟道功率 MOSFET。该器件主要用于需要高效能、高可靠性的功率转换应用中，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理系统。TPH7R506NH 采用了东芝先进的 U-MOS VIII 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），同时在高电流和高频率下仍能保持良好的性能表现。这种 MOSFET 封装在高密度、高性能的 SOP Advance（表面贴装）封装中，适合现代电子产品对小型化和高效能的需求。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：120 A
漏源极电压（Vds）：60 V
栅源极电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：7.5 mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：130 W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOP Advance
TPH7R506NH 具备多项卓越的电气特性和设计优势，使其在功率管理领域具有广泛的应用前景。首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下具有极低的功率损耗，提高了整体系统的效率。
其次，TPH7R506NH 采用了先进的 U-MOS VIII 工艺技术，使其在高频开关条件下仍能保持良好的性能，减少开关损耗，适合用于高频率的 DC-DC 转换器和同步整流器等场景。
此外，SOP Advance 封装设计不仅减小了 PCB 的占用空间，还提供了良好的热管理和机械稳定性，提高了器件在高负载环境下的可靠性。
该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅极电压，具备较高的栅极耐压能力，能够承受一定的过压和噪声干扰，从而提升系统的稳定性和安全性。
其高电流承载能力和低热阻特性也使得 TPH7R506NH 在大电流应用中表现出色，不易过热或损坏。
TPH7R506NH 主要应用于需要高效率和高功率密度的电源系统，包括但不限于以下领域：
1. **DC-DC 转换器**：用于电信设备、服务器电源和工业自动化系统中的高效电源转换模块。
2. **负载开关**：作为高侧或低侧开关用于控制大电流负载，例如电机驱动、LED 照明和电池管理系统。
3. **电源管理系统（PMU）**：在便携式电子设备、笔记本电脑和平板电脑中用于高效能电源分配和管理。
4. **同步整流器**：在反激式和正激式变换器中替代传统二极管，提高转换效率并降低损耗。
5. **电动工具和电动汽车**：作为功率开关元件用于电机控制和电池管理系统中，提供稳定高效的电力控制。
这些应用场景都对器件的效率、热性能和可靠性有较高要求，TPH7R506NH 的先进设计和性能表现使其成为理想的选择。
TPH9R006NH, TPH8R206NH
