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TPH6R004PL 发布时间 时间:2025/8/2 5:36:24 查看 阅读:16

TPH6R004PL 是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率器件,型号后缀PL通常表示封装形式为Power LFPAK或类似的小外形封装,适用于高效能电源转换应用。该器件设计用于在高压和高电流条件下提供出色的性能和效率,广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电源管理和电池充电系统等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):60V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100A(在Tc=25℃)
  功耗(Ptot):3.2W
  导通电阻(Rds(on)):6mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:Power LFPAK或PL封装

特性

TPH6R004PL 的核心优势在于其低导通电阻(Rds(on)),该特性显著降低了导通损耗,从而提高了整体系统效率。此外,该器件具有高电流承载能力,在连续漏极电流方面表现优异,适合高功率密度设计。其先进的封装技术不仅提供了良好的热管理性能,还减少了寄生电感,提高了开关速度和可靠性。TPH6R004PL 还具备良好的抗雪崩击穿能力,能够在高电压瞬态条件下保持稳定运行。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,兼容常见的10V和12V驱动电路,便于在多种电源拓扑结构中使用。

应用

该器件适用于多种功率转换系统,包括但不限于:同步整流器(用于DC-DC转换器和AC-DC适配器)、电机驱动电路、电池管理系统(如电动汽车和储能设备)、电源管理模块(如服务器、路由器和通信设备)以及负载开关和热插拔控制器。

替代型号

TPH8R40ANH, TPS6R004PL, TPH6R004NL, TPH6R006PL

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