时间：2025/5/8 12:14:11
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IPT015N10NF2S 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 DPAK（TO-263），支持表面贴装技术（SMT），能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
该功率 MOSFET 专为中高功率应用设计，适合需要低损耗和高效率的场合。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：2.2mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：DPAK（TO-263）
IPT015N10NF2S 的主要特点是其低导通电阻，这有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。此外，它还具有出色的热稳定性和鲁棒性，能够在恶劣的工作条件下保持性能。
该器件具备快速开关能力，减少了开关损耗，非常适合高频开关电源和其他高频应用。同时，其 SMD 封装形式简化了 PCB 设计和生产流程，降低了组装成本。
IPT015N10NF2S 还具有良好的短路耐受能力和较低的反向恢复电荷，进一步提升了系统的可靠性和耐用性。
这款 MOSFET 广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、电动工具以及工业自动化设备等领域。由于其低导通电阻和快速开关特性，IPT015N10NF2S 特别适合用于高效能功率转换电路和负载切换应用。
在汽车电子领域，该器件也可用于电池管理系统（BMS）、车载充电器和 LED 驱动等场景。
IPT016N10NF2S
IPT015N10NL2S
IRF840
STP15NF10
