IPT015N10NF2S 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于各种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 DPAK(TO-263),支持表面贴装技术(SMT),能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
该功率 MOSFET 专为中高功率应用设计,适合需要低损耗和高效率的场合。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:15A
导通电阻(典型值):2.2mΩ
栅极电荷:45nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:DPAK(TO-263)
IPT015N10NF2S 的主要特点是其低导通电阻,这有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。此外,它还具有出色的热稳定性和鲁棒性,能够在恶劣的工作条件下保持性能。
该器件具备快速开关能力,减少了开关损耗,非常适合高频开关电源和其他高频应用。同时,其 SMD 封装形式简化了 PCB 设计和生产流程,降低了组装成本。
IPT015N10NF2S 还具有良好的短路耐受能力和较低的反向恢复电荷,进一步提升了系统的可靠性和耐用性。
这款 MOSFET 广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、电动工具以及工业自动化设备等领域。由于其低导通电阻和快速开关特性,IPT015N10NF2S 特别适合用于高效能功率转换电路和负载切换应用。
在汽车电子领域,该器件也可用于电池管理系统(BMS)、车载充电器和 LED 驱动等场景。
IPT016N10NF2S
IPT015N10NL2S
IRF840
STP15NF10