TPH6R003NL 时间：2025/8/2 6:38:01 阅读：15

TPH6R003NL 是由东芝（Toshiba）生产的一款N沟道功率MOSFET，适用于高效能电源转换系统，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及马达控制电路。该器件采用高密度单元设计，具备低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，适合高频率开关应用。TPH6R003NL 采用表面贴装的SOP Advance (5.0x6.0mm) 封装，便于自动化生产和紧凑型电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：60A
　　最大漏源电压（Vds）：150V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：6mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP Advance (5.0x6.0mm)

特性

TPH6R003NL 具备多项优异特性，使其在高性能电源管理应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）仅为6mΩ，在Vgs=10V条件下可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽式工艺技术，提升了单位面积内的电流承载能力，同时具备良好的热稳定性。
　　此外，TPH6R003NL 具有较高的栅极耐压能力（±20V），在高频开关应用中具有更高的可靠性。其封装设计采用SOP Advance结构，具有良好的散热性能，能够有效降低芯片工作温度，延长使用寿命。
　　该器件还具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），有利于减少开关损耗，适用于高频率开关操作。此外，其快速的开关特性（tr和tf时间短）也有助于提升系统的动态响应能力。

应用

TPH6R003NL 主要应用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。例如，在服务器电源、DC-DC转换器、同步整流模块、电池管理系统（BMS）、马达驱动电路以及工业自动化设备中均有广泛应用。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适合用于需要频繁开关操作的负载开关和同步整流场合。
　　在电动车、无人机、储能系统等新兴应用中，TPH6R003NL 也常用于电源管理模块的设计，以提升整体系统的能效和稳定性。此外，在高功率LED驱动、适配器及电源供应器中，该MOSFET也因其出色的热管理和高频响应能力而受到青睐。