FDN340P-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用小尺寸 SOT-23 封装。该器件适用于低电压、低功耗应用场合,能够提供高效的开关性能和较低的导通电阻。其设计旨在满足消费类电子设备、通信设备以及便携式设备中对空间和效率要求较高的需求。
FDN340P-NL 以其出色的 Rds(on) 特性和快速开关能力而著称,非常适合用于负载开关、DC-DC 转换器、电池管理电路以及其他需要高效能功率管理的场景。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:1.2A
导通电阻(Rds(on)):1.5Ω(典型值,Vgs=4.5V)
栅极电荷:3nC(典型值)
开关速度:非常快
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23
1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗和提升系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频 PWM 应用。
3. 小尺寸 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
4. 宽工作温度范围,适应多种环境条件。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅制造。
6. 高可靠性设计,适用于长期稳定运行的应用场景。
1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 负载开关及电池保护电路。
4. 便携式电子设备中的功率控制。
5. LED 驱动及小型电机驱动。
6. 通用功率级开关及信号切换应用。
FDN340P, BSS138, SI2302DS