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TPDV825RG 发布时间 时间:2025/7/23 3:58:35 查看 阅读:8

TPDV825RG 是 Texas Instruments(德州仪器)推出的一款功率驱动器芯片,属于半桥驱动器系列。该芯片主要用于控制和驱动功率MOSFET或IGBT,广泛应用于电机控制、电源转换、DC-AC逆变器等高功率系统中。TPDV825RG采用了先进的集成电路技术,能够在高电压和高电流条件下稳定工作,同时提供高效的开关控制能力。

参数

工作电压范围:4.5V 至 18V
  输出电流能力:最大±1.5A(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 125°C
  封装类型:14引脚 TSSOP
  最大工作频率:1MHz
  输入逻辑兼容性:3.3V、5V、12V逻辑电平
  输出导通电阻(高侧+低侧):约1.7Ω
  欠压保护阈值:典型值为4.0V
  封装热阻(RθJA):约60°C/W

特性

TPDV825RG 具备多项先进的技术特性,确保其在复杂的电力电子环境中可靠运行。
  首先,该芯片内置了自举电压管理功能,通过集成的自举二极管简化了外部电路设计,并有效防止高侧MOSFET因电压不足而无法正常导通的问题。此外,TPDV825RG 还具有欠压锁定(UVLO)功能,当供电电压低于设定阈值时,系统会自动关闭输出,以防止功率器件在非理想状态下运行,从而提高系统的稳定性和安全性。
  其次,TPDV825RG 支持高频工作,其最大工作频率可达1MHz,适用于需要快速开关的高效率电源转换系统。同时,芯片的输入端兼容多种逻辑电平(3.3V、5V、12V),便于与不同类型的控制器或微处理器接口连接,提高了系统的兼容性和灵活性。
  另外,该芯片采用了优化的输出驱动结构,能够提供高达±1.5A的峰值电流,确保功率MOSFET能够快速导通和关断,从而减少开关损耗并提高能效。其输出导通电阻较低,有助于降低功耗并提升整体效率。
  在热管理方面,TPDV825RG 采用14引脚TSSOP封装,具备良好的散热性能。即使在高负载条件下,芯片也能保持较低的温度,避免因过热而导致的性能下降或损坏。

应用

TPDV825RG 主要应用于需要高效功率驱动的场合,如直流电机控制、无刷直流电机驱动、电源转换器(如DC-DC、DC-AC逆变器)、太阳能逆变系统、电动汽车充电系统以及工业自动化设备中的功率管理模块。由于其具备高驱动能力和宽电压输入范围,TPDV825RG 也非常适合用于高频开关电源设计和高精度电机控制应用。

替代型号

UCC27531, IRS2004, LM5109B

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TPDV825RG参数

  • 其它有关文件TPDVxx25 View All Specifications
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭三端双向可控硅开关
  • 系列-
  • 三端双向可控硅开关类型可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断路800V
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)25A
  • 电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大)1.5V
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)230A,250A
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)150mA
  • 电流 - 维持(Ih)50mA
  • 配置单一
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TOP-3
  • 供应商设备封装TOP3
  • 包装散装