STLQ015M30R 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TOLL封装,适用于高效率、高密度的电源转换应用,如服务器、电信设备中的AC-DC和DC-DC转换器以及电机驱动等场景。STLQ015M30R通过优化的制造工艺实现了低导通电阻和高效的开关性能,有助于提升系统的整体能效并降低发热。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:124A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
栅极电荷:128nC
总电容(Ciss):6360pF
极间电容(Crss):770pF
反向恢复时间(trr):35ns
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
STLQ015M30R具备超低的导通电阻(仅1.5mΩ),这使其在大电流应用中能够显著降低功耗。此外,其快速的开关速度和优化的栅极电荷确保了高效运行,同时减少了开关损耗。
TOLL封装设计提升了热性能和电气性能,并且支持高功率密度的设计需求。该器件还具有优异的雪崩能力和鲁棒性,可在严苛的工作条件下提供可靠的保护。
由于其出色的性能,STLQ015M30R非常适合用于需要高性能功率管理的工业及消费类电子领域。
STLQ015M30R广泛应用于各种功率转换和控制场景,包括但不限于:
1. 服务器和电信设备中的AC-DC和DC-DC转换器
2. 工业电机驱动和逆变器
3. 太阳能逆变器
4. 高端音频放大器
5. 各种需要高效功率管理的大电流应用
其强大的电流承载能力和低损耗特性使得它成为这些应用的理想选择。
STL69N3LLH5
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