TPC8117是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效能功率转换的电子电路中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性,适合用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电源管理系统等领域。
类型:N沟道
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):20V
连续漏极电流(ID):80A
导通电阻(RDS(on)):4.7mΩ(典型值,VGS=10V)
功耗(PD):100W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:H8(表面贴装)
TPC8117的主要特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET的高耐压能力(30V VDS)使其适用于多种中等功率应用,包括电源管理和电机控制。由于采用了先进的沟槽式结构,TPC8117在导通状态下的电流密度更高,从而进一步提高了器件的性能。
另一个重要特性是其封装形式,H8是一种表面贴装封装,具有良好的热管理能力,能够有效散热,确保器件在高负载条件下的稳定性。此外,TPC8117的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至15V驱动电压,使其能够与多种控制器和驱动电路兼容。此外,该器件具有快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高系统的整体响应速度和效率。
TPC8117还具备良好的可靠性和耐久性,在恶劣的工作环境下依然能够保持稳定性能。其内部结构设计优化了热阻,从而在高温环境下仍能维持较低的温度上升,延长器件的使用寿命。
TPC8117因其优异的电气特性和高可靠性,被广泛应用于多个领域。在电源管理方面,它常用于同步整流的DC-DC转换器中,以提高转换效率并减少发热。在电池供电设备中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机,TPC8117可用于负载开关或电池保护电路,以延长电池寿命并提高系统的能效。
在电机控制领域,TPC8117可用于驱动直流电机或步进电机,其高电流承载能力和低导通电阻使其非常适合用于电机控制中的H桥电路。此外,该MOSFET也常用于工业自动化设备、伺服控制系统以及电动工具中,以实现高效、稳定的电机控制。
汽车电子方面,TPC8117可用于汽车电源管理系统、LED照明驱动、车载充电器以及各种车载电子模块的开关控制电路中。由于其高耐压和良好的热管理能力,该器件在汽车电子系统中表现出色,能够在恶劣的温度和电压波动环境下稳定工作。
Si7490DP, IRF3710, TPC8104, FDS8858