STP2N62K3是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高电压和高功率应用,具有优异的导通性能和开关特性,广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器以及工业电机控制等领域。STP2N62K3采用先进的技术制造,确保在高温和高负载条件下仍能保持稳定运行。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS):650V
最大漏极电流(ID):2.3A(在TC=25℃时)
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):2.5Ω(最大值,VGS=10V)
功率耗散(PD):30W
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装类型:TO-220
STP2N62K3具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其高耐压能力(650V VDS)使其非常适合用于高压系统,例如离线电源和工业逆变器。其次,该MOSFET的导通电阻较低,典型值为2.5Ω,从而在工作时减少了导通损耗,提高了系统效率。
此外,STP2N62K3采用了先进的封装技术,提供良好的热管理能力。TO-220封装具备较高的热阻(Rth(j-c)),便于与散热片配合使用,以确保在较高功率应用中的稳定运行。同时,该器件的栅极驱动电压范围宽,支持+10V至+20V之间的栅极驱动电压,使得其能够兼容多种类型的驱动电路。
STP2N62K3还具备良好的抗雪崩能力和短路保护特性,增强了其在严苛工作环境中的可靠性和耐用性。此外,该MOSFET的开关速度快,适用于高频开关应用,从而有助于减小电源系统的体积并提高整体性能。其工作温度范围广(-55℃至+150℃),适合在多种工业环境中使用。
STP2N62K3适用于多种高电压和高功率电子系统。常见的应用包括开关电源(SMPS)、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动电源、逆变器、工业电机控制电路、电池管理系统以及智能电表等设备。此外,由于其具备良好的导通性能和热管理能力,STP2N62K3也常用于家用电器、照明系统和新能源设备中,如太阳能逆变器和风能控制系统。
在开关电源中,STP2N62K3可以作为主开关器件,用于实现高效率的能量转换。其低导通电阻和快速开关特性可有效降低开关损耗,提高能效。在LED驱动器中,该MOSFET可作为高频开关元件,用于调节电流和实现恒流输出。此外,在电机控制应用中,STP2N62K3可以用于H桥驱动电路,实现电机的正反转控制和调速功能。
STP3N62K3, STP4N62K3, STP2N65M5, FQP12N65C