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MSB92T1G 发布时间 时间:2025/4/28 18:33:31 查看 阅读:4

MSB92T1G是一款高性能的固态硬盘(SSD)主控芯片,专为消费级和企业级存储解决方案设计。该芯片采用了先进的架构设计,支持NVMe协议,并兼容多种闪存类型,包括3D TLC和QLC NAND。其主要功能是管理数据的存储、检索和传输,同时优化性能和功耗。此外,MSB92T1G还集成了强大的纠错算法和安全特性,确保数据的可靠性和完整性。
  这款主控芯片适用于高性能笔记本电脑、台式机以及数据中心等场景,能够提供卓越的读写速度和低延迟表现。

参数

接口:PCIe Gen4x4
  协议:NVMe 1.4
  最大容量:8TB
  闪存类型:3D TLC/QLC NAND
  通道数:8
  顺序读取速度:7000 MB/s
  顺序写入速度:6000 MB/s
  随机读取IOPS:1000K
  随机写入IOPS:800K
  工作电压:3.3V
  封装:BGA

特性

MSB92T1G采用了最新的PCIe Gen4接口技术,相比上一代Gen3方案,带宽提升了一倍,可显著提高数据传输速率。
  它支持多达8个NAND通道,每个通道能够以高达1200MT/s的速度运行,从而实现更快的数据处理能力。
  内置LDPC(低密度奇偶校验码)纠错技术,有效延长了闪存的使用寿命,并提高了数据可靠性。
  支持端到端数据路径保护,防止数据在传输过程中发生损坏。
  具有强大的能耗管理功能,可根据实际负载动态调整功耗,延长设备续航时间。
  支持AES-256加密标准,满足用户对数据安全的需求。

应用

MSB92T1G广泛应用于高性能消费类SSD产品中,例如游戏笔记本、超极本以及其他需要快速响应和高吞吐量的设备。
  在企业领域,该芯片可用于数据中心、服务器以及云计算平台,提供稳定且高效的存储性能。
  此外,MSB92T1G还可用于工业自动化、嵌入式系统等领域,满足不同行业对数据存储和处理的多样化需求。

替代型号

MSB92T2G
  MSB91T1G

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MSB92T1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 2mA,20mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)25 @ 30mA,10V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SC-59
  • 包装带卷 (TR)