类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A（在25℃）
　　功耗(Pd)：2.5W
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为8.5mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOP-8

TP9013NNC03 5K/R 具备多项优异性能，适用于高效率和高性能要求的电源管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。在高电流应用中，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，该器件表现出色。此外，其栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V的工作电压，适应多种驱动电路设计。该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提升了系统的可靠性和耐用性。SOP-8封装形式不仅节省空间，而且便于散热，适用于高密度PCB布局设计。
　　在封装设计方面，TP9013NNC03 5K/R采用标准SOP-8封装，引脚布局符合行业通用标准，便于与其他MOSFET器件进行替换和兼容。该封装具备良好的散热性能，有助于降低MOSFET在高负载条件下的工作温度，延长器件使用寿命。此外，该器件的制造工艺采用了先进的沟槽式技术，使得导通电阻更低，同时在开关过程中具有较小的栅极电荷（Qg），从而减少开关损耗并提高系统效率。适用于便携式电子产品、通信设备、工业控制系统、电动工具及电池供电设备等应用场景。

TP9013NNC03 5K/R 主要用于高效能电源管理领域，包括但不限于以下应用场景：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池保护电路、电源管理模块、工业控制设备、电动工具和便携式电子设备。该MOSFET在高频率开关应用中表现良好，适用于对效率和散热要求较高的设计。由于其低导通电阻和高电流能力，常被用于同步整流电路中以提高转换效率。在电池供电设备中，该器件可作为主开关用于控制电源通断，同时具备低功耗和高可靠性的优势。此外，在电机驱动电路或LED背光驱动电路中，该MOSFET也具备良好的应用潜力。

Si2302DS、AO4406、FDMS86101、TPH9R00C03HM