TP26DK-P060VA3 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率晶体管,属于 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)系列。这种晶体管主要用于高功率应用,如工业电机控制、电动汽车和电源转换系统。TP26DK-P060VA3 的设计使其能够在高电压和高电流条件下工作,同时保持较低的导通损耗和开关损耗。这种晶体管通常采用先进的沟槽栅场截止技术,提供卓越的性能和可靠性。
类型: IGBT
最大集电极-发射极电压 (Vce): 650V
最大集电极电流 (Ic): 26A
最大工作温度: 150°C
导通压降 (Vce_sat): 1.8V (典型值)
封装类型: TO-247
短路耐受能力: 10μs
TP26DK-P060VA3 具备多种显著特性,包括高电流处理能力和卓越的热稳定性。其先进的沟槽栅场截止技术不仅提高了器件的导通性能,还显著降低了开关损耗,使其在高频应用中表现优异。此外,该IGBT具有较低的导通压降,有助于减少系统能耗,提高整体效率。它还具备良好的短路耐受能力,能在极端条件下提供可靠的保护,确保系统的稳定运行。
这款晶体管的封装设计考虑了良好的散热性能,确保在高功率应用中能够有效散热,从而延长器件的使用寿命。TO-247 封装也方便安装和使用,适用于多种工业环境。TP26DK-P060VA3 还具有较高的抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境中稳定工作,减少了对外部保护电路的依赖。
TP26DK-P060VA3 主要应用于需要高功率和高可靠性的电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动器、变频器、电动汽车的电源管理系统、可再生能源系统(如太阳能逆变器)以及各种类型的高功率开关电源。此外,它还广泛用于电力电子设备中的功率转换和控制模块,确保高效的能量转换和稳定的系统性能。
SGW20N60C2, FGA25N60SMD