HFE60P 时间：2025/8/10 23:56:01 阅读：10

HFE60P 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高电压应用场景。该器件采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和较高的开关性能，适用于电源转换、电机控制和负载开关等高效率设计中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：180A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-247

特性

HFE60P MOSFET 具备多项出色的电气和热性能，使其在高功率应用中表现优异。其导通电阻仅为3.7毫欧，显著降低了导通损耗，提高了整体效率。该器件采用TOLL（Toshiba Advanced Power MOSFET Package）封装，具有优异的散热性能，能够有效降低工作温度并提升长期可靠性。
　　此外，HFE60P 采用了先进的沟槽式结构，优化了电场分布，从而提高了器件的开关速度并减少了开关损耗。其栅极电荷（Qg）较低，有助于实现更快的开关响应，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。该MOSFET的封装设计还具备高耐压能力，能够承受瞬态过电压冲击，从而增强系统的稳定性。
　　在热管理方面，得益于TOLL封装的低热阻特性，HFE60P能够在高负载条件下维持较低的温度上升，从而提高整体系统的可靠性。该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够承受一定的过载和短路情况，适用于要求较高的工业和汽车电子系统。

应用

HFE60P MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：电源管理模块、DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、不间断电源（UPS）以及汽车电子系统中的功率控制单元。其优异的导通特性和高频开关性能，使其在新能源汽车、储能系统和工业自动化等领域中具有广泛的应用前景。