时间：2025/8/4 7:13:59
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TOS 06-12SM 是一种表面贴装（SMD）封装的功率MOSFET模块，通常用于高功率电子设备中，例如电源、电机控制、工业自动化和逆变器等应用。该器件由东芝（Toshiba）制造，具有良好的导热性能和高可靠性。TOS 06-12SM 设计用于承受较高的电压和电流，适用于需要高效能和高稳定性的场景。
类型：功率MOSFET模块
封装形式：表面贴装（SMD）
最大漏极电压（VDS）：1200V
最大漏极电流（ID）：6A
导通电阻（RDS(on)）：典型值约1.2Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装尺寸：标准TO-263（D2PAK）
栅极驱动电压：10V
TOS 06-12SM 是一款高性能的功率MOSFET模块，具有优异的电气和热性能。该模块采用了先进的沟槽栅极技术，降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其表面贴装封装形式不仅节省了PCB空间，还提高了模块的散热能力，适用于高功率密度的设计。
该模块的高耐压能力和较大的漏极电流额定值，使其适用于多种高功率应用，例如工业电源、直流电机控制、电源转换器以及逆变器等。此外，TOS 06-12SM 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提高了器件在极端条件下的可靠性。
该模块的工作温度范围较宽，能够在-55°C至+150°C之间稳定工作，适用于各种恶劣的环境条件。同时，其低热阻特性有助于减少热量积累，从而延长器件的使用寿命，并提高系统的整体稳定性。
TOS 06-12SM 常用于高功率电子系统中，包括工业电源、直流电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、电焊机、功率放大器以及太阳能逆变器等。其高效的导通性能和可靠的封装设计，使其成为许多高功率应用的理想选择。此外，该模块还可用于自动化控制设备、电动工具以及电动车电源管理系统等场景。
IXFN6N120T、STP6NK120Z、IRFP4668
