封装类型：SMD/THT（根据具体型号）
　　工作电压范围：80VAC至265VAC（宽输入电压范围）
　　输出功率能力：最大约14W（取决于设计和输入电压）
　　集成MOSFET耐压：700V
　　开关频率：约132kHz（内部设定）
　　启动电流：< 5μA
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　反馈方式：采用开/关控制（ON/OFF Control）
　　封装选项：DIP-8、SOP-8等

TNY263GTL具备多项先进的性能特点，适用于现代高效能、低功耗电源设计。首先，其内置的700V高压MOSFET能够满足全球范围内的交流输入电压要求，适用于宽输入范围的应用场景，同时提高了系统的可靠性并减少了外部元件数量。其次，该芯片支持自动进入突发模式（burst mode），在轻载或空载状态下显著降低功耗，从而实现高能效和低待机损耗，符合国际节能标准（如Energy Star）。
　　此外，TNY263GTL采用开/关控制策略，无需传统的PWM控制，简化了电路设计并降低了电磁干扰（EMI）。该芯片还内建了多项保护功能，包括过载保护（OLP）、过热保护（OTP）、过压保护（OVP）和欠压锁定（UVLO），确保系统在异常情况下能够安全运行，提升了整体系统的稳定性和耐用性。
　　由于其高集成度，TNY263GTL减少了外部元件的需求，降低了PCB布局的复杂度，并有助于减小电源的整体尺寸。这种紧凑型设计特别适用于空间受限的应用，如手机充电器、小型电源适配器和智能家电电源模块。

TNY263GTL广泛应用于各种低功率AC-DC转换场合，包括但不限于：通用型手机充电器、USB适配器、智能电表电源、LED照明驱动器、小型家电电源模块、安全监控设备供电系统等。由于其高效节能、体积小巧、可靠性高等优势，该芯片在消费类电子产品、工业控制设备以及智能物联网设备中均有广泛应用。

TNY264GTL, TNY266GTL, TNY275P