型号：TNY253G/GN
　　封装类型：DIP-8 / SMD-8
　　最大漏极电压（VDS）：700V
　　最大连续漏极电流（ID）：300mA
　　工作频率：约132kHz（典型值）
　　启动电流：小于5μA
　　最大占空比：67%
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：8引脚PDIP或8引脚表面贴装（SMD）
　　保护功能：过热保护（OTP）、过载保护（OLP）、输入过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）
　　输出功率能力：在通用输入（85VAC～265VAC）下可达约15W

TNY253G/GN具有高度集成的特点，内部集成了700V MOSFET和控制器电路，极大地简化了外围电路设计，降低了系统成本。该芯片采用先进的节能技术，在各种负载条件下都能保持高效率，尤其在轻载时通过频率折返有效降低功耗，满足国际能效标准（如Energy Star、CoC Tier 2）。此外，TNY253G/GN具备多种保护机制，包括过热保护、过流保护、输入过压保护和欠压锁定功能，提升了系统的可靠性和稳定性。其独特的开/关控制模式与传统的PWM控制不同，使得在宽输入电压范围内仍能保持良好的输出调节性能，适用于反激式变换器拓扑结构。芯片还具备自动重启功能，在发生故障时能够自动恢复，减少系统故障率。此外，TNY253G/GN支持宽范围的输入电压，适用于全球通用的交流输入（85VAC～265VAC）。

TNY253G/GN广泛应用于低功率离线式开关电源系统中，如手机充电器、数码相机电源适配器、小型家电电源、智能电表、工业控制设备、传感器供电模块、LED驱动电源、智能插座和智能家居设备等。由于其高集成度和优异的节能性能，该芯片也常用于需要符合严格能效标准的消费类电子产品和工业设备中。

TNY255G/GN, TNY256G/GN, TNY264G/GN