时间：2025/6/3 22:18:47
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TNM1K30K 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和无线充电设备等领域。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高工作频率的特点，可显著提高电力电子系统的性能和能效。
由于其出色的性能，TNM1K30K 在需要高功率密度和高效能转换的应用中表现尤为突出，适合用于消费类电子产品、工业电源以及通信设备等。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：30A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：80nC
反向恢复时间：20ns
工作温度范围：-40℃至150℃
TNM1K30K 的主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压能力，支持高达600V的操作环境，适用于高压应用场合。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高负载电流下能够减少功耗，提高整体系统效率。
3. 快速开关特性，其极低的栅极电荷和反向恢复时间使其能够在高频条件下保持高效运行，非常适合高频开关电源设计。
4. 支持宽范围的工作温度，从-40℃到+150℃，适应多种恶劣环境条件。
5. 先进的封装技术，确保了良好的热管理和电气性能，同时提高了产品的可靠性和稳定性。
TNM1K30K 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 无线充电设备中的功率传输模块。
3. 电动汽车 (EV) 充电器和逆变器。
4. 工业电机驱动和控制系统。
5. 高频谐振变换器和其他高频电力电子设备。
这款器件凭借其卓越的性能，可以满足各类高性能电力电子系统的需求。
TNM1K30J, TNM1K30H
