晶体类型：NPN型
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：160V
　　最大集电极电流（IC）：15A
　　最大功耗（PD）：125W
　　频率响应：高达30MHz
　　增益带宽积（fT）：约30MHz
　　封装类型：TO-220

SKUT115/16T具有优异的高频性能和高功率处理能力，这使得它非常适合用于射频放大器和高速开关应用。其NPN结构提供了良好的电流放大能力，能够在高频率下维持较高的增益。此外，该晶体管的封装设计有助于有效散热，从而提高在高功率工作条件下的可靠性和稳定性。SKUT115/16T的另一个显著特性是其较低的饱和压降（VCE(sat)），这有助于减少功率损耗并提高效率。该晶体管还具有较强的抗热失效能力，能够在极端工作条件下保持性能稳定。由于其高耐压特性，SKUT115/16T也常用于需要高压隔离和高电流驱动的电路中。
　　在设计上，SKUT115/16T采用了优化的基极-发射极结结构，以降低高频下的寄生电容，从而提高其在高频应用中的性能。该晶体管还具备良好的线性度，使其在模拟放大电路中表现出色。此外，SKUT115/16T的制造工艺确保了其在批量生产中的一致性和可靠性，降低了设计和生产的不确定性。

SKUT115/16T主要用于高功率和高频电子设备中，如射频放大器、开关电源、电机控制器和逆变器等。它特别适合用于需要高电流放大能力和高频响应的场合，例如在通信设备中的射频功率放大模块。此外，该晶体管还可用于音频放大器、直流-直流转换器以及工业自动化系统中的高功率驱动电路。在汽车电子领域，SKUT115/16T可用于车载电源管理系统和电动机控制电路。由于其高耐压和大电流能力，它也常被用于测试设备和工业控制系统的功率开关电路中。

TIP142, 2N6292