时间：2025/6/22 13:57:58
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TNM03K20F是一种基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），广泛应用于高频和高功率射频领域。该器件具有卓越的开关速度和低导通电阻，能够有效提升系统效率。其设计结构确保了在高频工作条件下的稳定性与可靠性。
型号：TNM03K20F
类型：增强型场效应晶体管（E-Mode HEMT）
材料：氮化镓（GaN）
漏源击穿电压（Vds）：200V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V~4.5V
最大漏极电流（Id）：7A
输出电容（Coss）：68pF
输入电容（CiSS）：950pF
反向传输电容（CrSS）：15pF
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ
工作温度范围：-55℃至+175℃
TNM03K20F采用先进的氮化镓技术，具备出色的性能表现。
1. 高开关频率：得益于GaN材料的物理特性，该器件可支持高达数GHz的开关频率，适合高频应用。
2. 低导通电阻：仅40mΩ的导通电阻显著降低了传导损耗，提高了整体效率。
3. 耐高温能力：器件可在高达175℃的工作温度下稳定运行，适用于严苛环境。
4. 小尺寸封装：有助于减少PCB空间占用，同时降低寄生效应。
5. 快速恢复时间：极低的反向恢复电荷进一步提升了高频性能。
6. 高击穿电压：200V的额定电压为系统提供了更大的安全裕度。
TNM03K20F因其优异的性能而被广泛应用于多种高要求场景：
1. 射频功率放大器：适用于无线通信、雷达和卫星通信等领域。
2. DC-DC转换器：用于工业电源、汽车电子和消费类电子产品中的高效功率转换。
3. 电机驱动：在工业自动化和机器人应用中实现精确控制。
4. 无线充电系统：支持更高效率和更小尺寸的设计需求。
5. 医疗设备：如超声波仪器和其他需要高精度和低噪声的应用。
TMH03K20F, TNG03K20F
