TNM02K100K 是一款陶瓷电容器,属于 C0G/NP0 类介质的多层片式陶瓷电容器 (MLCC)。该型号适用于高频电路和精密应用场合,具有高稳定性和低损耗的特点。
它通常被用于滤波、耦合、旁路和振荡等电路中,能够提供出色的温度稳定性和频率特性。
容量:0.1μF
额定电压:50V
容差:±5%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:0805
介质材料:C0G/NP0
ESR:≤0.05Ω
DF(耗散因数):<0.001
尺寸:2.0mm x 1.25mm
TNM02K100K 使用 C0G 介质,这种介质在宽温范围内表现出极高的稳定性,其容量几乎不会随温度、直流偏置或频率而变化。
这款电容器还具备非常低的等效串联电阻 (ESR) 和低漏电流,非常适合用在射频 (RF) 和无线通信系统中。
此外,由于其小型化设计和表面贴装技术 (SMT),TNM02K100K 可以轻松集成到现代紧凑型电子设备中。
TNM02K100K 主要应用于对性能要求较高的领域,例如:
1. 高频滤波器和匹配网络
2. 振荡器和晶体振荡电路
3. 数据转换器 (ADC/DAC) 的去耦
4. 精密放大器中的旁路
5. 射频模块和无线通信设备
6. 工业控制和医疗电子设备中的信号处理电路
7. 航空航天和军事领域的高性能电子系统
C0G104KA50V
C1608X5U1E104K080
Kemet C0G104KA50V
Taiyo Yuden GRM1885C1H104KA01D