CXK5816M-12 是一款由国产厂商生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为16Mbit(2MB),采用高速CMOS工艺制造,适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片具有低功耗、高性能和稳定性强的特点,广泛应用于通信设备、工业控制、嵌入式系统以及各类需要高速缓存的场合。
容量:16Mbit (2M x 8)
组织形式:2M地址 x 8位数据
电源电压:3.3V 或 5V(视具体型号)
访问时间:12ns
工作温度范围:工业级 (-40°C ~ +85°C)
封装形式:TSOP/SSOP
引脚数量:54
封装尺寸:标准TSOP尺寸
最大工作频率:约83MHz
读写操作模式:异步模式
CXK5816M-12 是一款高性能异步SRAM芯片,其主要特性包括快速访问时间(12ns)和低功耗设计,能够在高频率下稳定工作。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,支持异步读写操作,适用于需要高速数据存储和处理的系统环境。其电源电压通常为3.3V或5V,具有宽电压兼容性,便于在不同电路设计中使用。此外,CXK5816M-12 采用TSOP或SSOP封装,体积小且便于贴装,适用于高密度电路板布局。其工业级工作温度范围(-40°C ~ +85°C)使其在恶劣环境下也能保持稳定运行。
这款芯片的2M x 8位存储结构,使其适用于各种需要较大容量高速缓存的应用,例如图像处理、数据缓冲、网络设备缓存等场景。同时,该芯片的异步接口设计简化了系统控制逻辑,提高了系统的兼容性和灵活性。CXK5816M-12 还具备良好的抗干扰能力和可靠性,适用于工业自动化、通信设备、医疗仪器等关键应用领域。
CXK5816M-12 主要用于对数据存取速度要求较高的电子系统中。常见应用包括嵌入式系统的高速缓存、图像处理模块的数据存储、网络设备和通信模块的临时数据缓冲区、工业控制系统中的实时数据记录,以及测试仪器中的中间数据暂存等。其高稳定性和宽工作温度范围也使其适用于车载电子、安防监控、航空航天等对可靠性要求较高的应用场景。
ISSI IS61WV10248BLL-12BLI, Alliance AS7C31026C-12TC, Cypress CY62167EVLL-12ZE3