类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：110A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：200W
　　封装形式：PowerFLAT 5x6（表面贴装）

TND933 功率 MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在大电流条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的导通电阻仅为 4.5mΩ，适用于高电流应用，如服务器电源、电信设备和工业控制系统。
　　此外，TND933 具有高耐压能力，漏源电压（VDS）可达到 30V，适用于多种中低压功率转换场景。其栅源电压范围为 ±20V，确保了在各种控制信号下的稳定工作，同时具备良好的抗过压能力。
　　该 MOSFET 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有优异的热性能和紧凑的设计，适合高密度 PCB 布局。封装形式支持表面贴装工艺，提高了生产效率并降低了制造成本。
　　器件还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用。TND933 的高可靠性设计使其在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于要求苛刻的工业和通信设备。

TND933 主要用于电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件非常适合用于服务器电源、电信设备、工业自动化系统以及电池供电设备中的高效能功率转换。
　　在电机驱动应用中，TND933 可用于 H 桥电路中的上下桥臂开关，提供高效能的电机控制解决方案。此外，该 MOSFET 还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，确保电池组的安全高效运行。
　　在电源管理模块中，TND933 常用于同步整流和负载切换，能够显著提高转换效率并减少热量产生。其紧凑的 PowerFLAT 封装也使其成为空间受限应用的理想选择。

STL93N3LLH5, IPD90N3L04, FDD8880