型号：TND511MD-TL-E
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：8.4A
　　脉冲漏极电流IDM：30A
　　导通电阻RDS(ON) max @ VGS = 10V：17mΩ
　　导通电阻RDS(ON) max @ VGS = 4.5V：24mΩ
　　阈值电压Vth typ：1.4V
　　输入电容Ciss：1020pF
　　输出电容Coss：290pF
　　反向传输电容Crss：60pF
　　栅极电荷Qg typ @ 10V：12nC
　　功率耗散PD：1.6W
　　工作结温范围TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SON6L (超薄小外形无引脚封装)
　　安装类型：表面贴装SMT

TND511MD-TL-E具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是低导通电阻（RDS(ON)），在VGS = 10V时最大仅为17mΩ，而在较低驱动电压4.5V下也能保持24mΩ的低阻值，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。
　　这种低RDS(ON)特性使其非常适合用于电池供电设备中的功率开关，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径管理模块。由于导通损耗小，发热量低，因此可以减少额外散热设计的需求，进一步简化系统结构并降低成本。
　　该器件还具有良好的开关特性，输入电容Ciss为1020pF，反向传输电容Crss仅为60pF，这意味着它在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和较快的响应速度，适用于工作频率较高的DC-DC变换器拓扑，如同步降压（Buck）或升压（Boost）电路。
　　此外，其栅极电荷Qg在10V驱动条件下典型值为12nC，属于较低水平，有助于降低控制器的驱动负担，提升系统能效。
　　从封装角度来看，TND511MD-TL-E采用SON6L小型无引脚封装，不仅体积小巧（典型尺寸约为2mm x 2mm），而且底部带有散热焊盘，能够通过PCB有效导出热量，增强热性能。这种封装方式特别适合高密度布局的应用场景，同时支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线。
　　该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行，适用于工业级和汽车级电子设备。同时，其符合RoHS指令要求，不含铅和有害物质，支持绿色环保制造理念。综合来看，TND511MD-TL-E是一款高性能、高可靠性且易于集成的功率MOSFET器件，广泛应用于各类高效能电源管理系统中。

TND511MD-TL-E主要应用于需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型使用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如智能手机和平板电脑中的电池充放电控制、电源路径切换以及背光LED驱动电路等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，常被用作负载开关来实现不同功能模块的上电时序控制或节能关断。
　　在DC-DC转换器方面，该器件适用于同步整流型降压（Buck）转换器的下管或上管位置，尤其适合输入电压在30V以内、输出电流中等的电压调节系统。例如，在嵌入式主板、路由器、机顶盒等设备的多路电源架构中，可用于生成核心电压（Core Voltage）、I/O电压或其他辅助电源轨。
　　此外，TND511MD-TL-E也可用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中作为开关元件，提供快速响应和低功耗操作。
　　其他应用还包括USB电源开关、热插拔控制器、电池保护电路以及各类工业传感器模块的电源控制部分。得益于其小型封装和良好热性能，该器件特别适合空间受限但对效率有较高要求的设计。同时，因其具备一定的抗瞬态过载能力（脉冲漏极电流可达30A），在突发性负载变化环境中也能保持稳定运行。

AOZ5215EQI