SC30Y503V是一款由半导体制造商推出的高效能功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器及各类高功率电子系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其封装形式为TO-220,便于安装和散热。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):500V
连续漏极电流(ID):30A
导通电阻(RDS(on)):0.15Ω(最大)
栅极电荷(Qg):60nC
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
功率耗散(PD):125W
阈值电压(VGS(th)):2V至4V
SC30Y503V具备多项优良特性,适合高要求的功率应用。其低导通电阻可以显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的电流承受能力,在高负载条件下仍能保持稳定运行。采用TO-220封装设计,有助于提高散热效率,延长器件使用寿命。
在开关性能方面,SC30Y503V具有较快的开关速度,能够适应高频工作环境,减少开关损耗。其栅极电荷较低,有助于降低驱动功率需求,提高整体系统效率。此外,该器件具备良好的抗雪崩击穿能力,能够在高电压冲击条件下保持稳定工作,增强系统的可靠性。
在热管理方面,SC30Y503V的封装设计优化了热传导路径,使热量能够更有效地散发,从而降低结温。这不仅提高了器件在高温环境下的稳定性,还减少了对外部散热片的依赖,有助于缩小电路板空间。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于绿色电子产品的设计。
SC30Y503V主要应用于各类高功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及工业自动化控制系统。在开关电源中,该器件可用于主开关或同步整流部分,以提高转换效率并减少发热。在电机控制应用中,它可作为功率开关,用于控制电机的启停、方向和速度调节。
该器件还可用于UPS(不间断电源)系统、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等新能源领域。由于其具备高耐压和大电流能力,因此在这些高功率密度应用中表现出色。此外,SC30Y503V也可用于LED照明驱动、家电控制电路以及工业自动化设备中的功率控制部分。
SC40N60AG, FGL40N120AND, FDPF30N50V