型号：75N75-TA3-T
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：75V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：75A
　　脉冲漏极电流(IDM)：260A
　　最大功耗(PD)：160W
　　导通电阻(RDS(on) max @ VGS = 10V)：4.5mΩ
　　导通电阻(RDS(on) max @ VGS = 4.5V)：5.8mΩ
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：10200pF
　　输出电荷(Qgd)：90nC
　　开启延迟时间(td(on))：18ns
　　关断延迟时间(td(off))：38ns
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

75N75-TA3-T采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻，从而在大电流应用场景下实现了更低的导通损耗。其典型的RDS(on)仅为4.5mΩ（在VGS=10V时），这使得器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，提升了系统的热稳定性和长期运行可靠性。这种低RDS(on)特性对于同步整流拓扑尤为重要，可以有效减少能量损耗，提高电源转换效率，特别是在低压大电流输出的DC-DC变换器中表现突出。
　　该器件具备出色的开关性能，输入电容（Ciss）为10200pF，栅极电荷（Qg）较低，配合快速的开启和关断延迟时间（分别为18ns和38ns），使其能够工作在较高的开关频率下，适用于高频开关电源设计。高频操作有助于减小外围磁性元件的体积，从而实现更紧凑的电源模块设计。此外，较低的栅极驱动需求也减轻了控制器的驱动负担，有利于简化驱动电路设计。
　　75N75-TA3-T的热性能优异，TO-252封装具有良好的热传导路径，允许通过PCB铜箔或散热器有效散热。其最大功耗可达160W，在适当散热条件下可长时间稳定运行。器件的结温范围宽达-55°C至+175°C，适应各种严苛的工作环境，包括高温工业环境和汽车电子应用。同时，该MOSFET具备较强的雪崩耐受能力，提高了在异常工况下的鲁棒性。
　　该器件还具备良好的抗瞬态过载能力，能够承受短时的大电流冲击，适合用于电机启动、电池充放电控制等动态负载场景。其栅源电压范围为±20V，提供了足够的驱动裕度，避免因驱动电压波动导致误开通或损坏。综合来看，75N75-TA3-T凭借其低导通电阻、高电流承载能力、优良的开关特性和稳健的热管理能力，成为中高端功率应用中的理想选择。

75N75-TA3-T广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS），尤其是在同步整流降压（Buck）转换器中作为下管或上管使用，因其低RDS(on)可显著提升转换效率。它也常用于DC-DC转换模块，如服务器电源、通信设备电源单元以及车载电源系统，满足高电流输出需求。在电机驱动电路中，该器件可用于H桥或半桥拓扑中的功率开关，驱动直流电机或步进电机，提供快速响应和低发热特性。
　　此外，75N75-TA3-T适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，能够承受较大的充放电电流，同时保持较低的压降，延长电池续航时间。在逆变器和UPS不间断电源中，该MOSFET可用于直流侧的功率切换，提升系统效率和可靠性。工业控制系统中的固态继电器（SSR）和高电流负载开关也是其重要应用领域。
　　由于其封装形式为TO-252，易于焊接和维修，因此在需要一定功率密度但又不追求极致小型化的消费类电子产品中也有广泛应用，例如大功率LED驱动电源、笔记本电脑适配器、打印机电源模块等。同时，该器件符合环保法规要求，适合出口型产品设计。在多相供电系统中，多个75N75-TA3-T可并联使用以分担电流，进一步提升系统功率等级和冗余性。

IRF1404ZPBF
　　MP4575GSP-LF-Z
　　AUIRF1404