时间：2025/12/27 7:59:51
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UT2N10G-TN3-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）生产的第二代氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），采用先进的硅基氮化镓技术制造。该器件具有100V的漏源击穿电压（BVDSS），适用于高频、高效率的电源转换应用。其封装形式为紧凑型TOLL（TO-263-4L）封装，带有裸露焊盘以增强散热性能，适合表面贴装工艺，广泛应用于服务器电源、电信整流器、电动车辆充电系统以及DC-DC转换器等对功率密度和能效要求较高的场景。
这款器件的设计目标是替代传统硅MOSFET，在开关频率更高、体积更小、效率更高的现代电源系统中发挥优势。UT2N10G-TN3-R具备极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关特性，能够在硬开关和软开关拓扑中实现显著的损耗降低。此外，它还具备良好的栅极可靠性，并兼容标准驱动电路，简化了从硅器件向宽禁带半导体过渡的设计复杂性。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源电压（VDS）：100 V
连续漏极电流（ID）：28 A（TC=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：110 A
导通电阻（RDS(on)）：10 mΩ（典型值，VGS=5V）
栅源阈值电压（Vth）：1.2 V（典型值）
输入电容（Ciss）：4000 pF（典型值，VDS=50V, VGS=0V）
输出电容（Coss）：1100 pF（典型值，VDS=50V, VGS=0V）
反向恢复电荷（Qrr）：0 C（无体二极管反向恢复）
栅极电荷（Qg）：17 nC（典型值，VDS=50V, ID=14A）
封装类型：TOLL（TO-263-4L）
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
UT2N10G-TN3-R的核心特性源于其基于GaN材料的异质结构设计，该结构在硅衬底上外延生长出AlGaN/GaN层，形成二维电子气（2DEG）通道，从而实现极高的载流子迁移率和极低的导通损耗。与传统硅MOSFET相比，该器件在相同芯片尺寸下可实现更低的RDS(on)，同时具备更快的开关速度，显著减少开关过程中的交叠损耗和尾电流效应。由于GaN HEMT本身不具备传统体二极管结构，因此在反向导通时不会产生反向恢复电荷（Qrr = 0），极大地降低了在桥式拓扑中因反向恢复引起的电磁干扰（EMI）和开关损耗，提升了系统整体效率。
该器件采用增强型（常关型）设计，确保在栅极驱动失效时器件自动关断，提高了系统的安全性和可靠性，避免了耗尽型GaN器件需要负压关断的复杂驱动需求。其栅极驱动电压推荐为5V逻辑电平，兼容常见的控制器和驱动IC，如UCC系列或ISL系列驱动器，便于集成到现有设计中。此外，TOLL封装不仅减小了PCB占用面积，还通过底部裸露焊盘实现了优异的热传导性能，有助于将结温控制在安全范围内，延长器件寿命。
UT2N10G-TN3-R具备出色的动态性能，在高频操作下仍能保持稳定，支持MHz级别的开关频率运行，从而允许使用更小的磁性元件和电容，提升电源系统的功率密度。其寄生参数经过优化，包括低栅漏电荷（Qgd）和低输出电容（Coss），有助于减少驱动损耗并提高dv/dt抗扰能力。器件还通过了严格的可靠性测试，包括高温栅极偏置（HTGB）、高温高压反向偏置（H3TRB）等，符合JEDEC标准，确保在工业级和汽车级应用中的长期稳定性。
UT2N10G-TN3-R广泛应用于各类高性能电源转换系统，尤其适合需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括服务器和数据中心的48V中间母线转换器（如48V转12V），其中其低RDS(on)和零Qrr特性可显著提升LLC谐振转换器或多相Buck转换器的效率；在电信整流器和工业电源中，用于PFC（功率因数校正）级或DC-DC后级转换，帮助满足80 PLUS Titanium等高效能认证要求。
在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，该器件可用于双向AC-DC或DC-DC变换拓扑，利用其快速开关能力和良好热性能实现紧凑化设计。此外，在太阳能微型逆变器、UPS不间断电源以及高密度适配器（如笔记本电脑PD充电器）中也有广泛应用前景。得益于其表面贴装封装，特别适用于自动化大规模生产，适合追求小型化和高性能的现代电子产品设计。
UJ3N1005KDT-U3S-A1-QORVO
