类型：NPN
　　最大集电极电流：100 mA
　　最大集电极-发射极电压：12 V
　　最大集电极-基极电压：12 V
　　最大发射极-基极电压：1.5 V
　　最大功耗：225 mW
　　直流电流增益（hFE）：最小60，典型值140（测试条件IC = 10 mA）
　　过渡频率（fT）：最高可达12 GHz
　　噪声系数（NF）：典型值0.8 dB（在1.9 GHz，VCE = 3 V，IC = 10 mA条件下）
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

TND311S-TL-E具备出色的高频性能和低噪声特性，是专为射频小信号放大应用设计的核心元器件之一。其过渡频率（fT）高达12 GHz，意味着该晶体管可以在数GHz的高频环境下依然保持良好的增益能力，适用于如蜂窝通信、Wi-Fi 2.4/5 GHz频段、蓝牙和ZigBee等无线技术。在1.9 GHz典型工作频率下，噪声系数仅为0.8 dB左右，这使得它在接收链路前端能够有效提升信噪比，增强系统的灵敏度。这一特性对于微弱信号的捕捉至关重要，尤其在远距离通信或复杂电磁环境中表现出色。
　　该晶体管的直流电流增益（hFE）具有较高的典型值（约140），且在不同工作电流下保持相对稳定，有利于简化偏置电路的设计并提高放大器的线性度。同时，其最大集电极电流为100 mA，在低功耗应用场景中既能提供足够的动态范围，又不会显著增加系统功耗，非常适合电池供电设备使用。器件的最大集电极-发射极电压为12 V，虽然不属于高压器件，但足以满足大多数低压射频系统的供电需求，例如3.3 V或5 V系统。
　　SOT-23封装不仅体积小巧（仅约2.8 mm × 1.6 mm × 1.45 mm），而且引脚间距适中，兼容主流贴片工艺，便于自动化生产和返修。该封装还具备较好的散热性能，在合理布局下可有效传导热量，防止因局部过热导致性能下降或失效。此外，TND311S-TL-E通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）及温度循环测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。所有这些特性共同构成了一个高性能、高可靠性的射频晶体管解决方案，广泛服务于现代无线通信基础设施和消费类电子产品。

TND311S-TL-E主要应用于各类高频小信号放大电路，特别是在需要低噪声和高增益的射频前端设计中发挥关键作用。常见应用包括但不限于：蜂窝通信设备中的低噪声放大器（LNA），用于增强接收到的微弱无线信号；无线局域网（WLAN）系统，如IEEE 802.11a/b/g/n/ac路由器和客户端模块，在2.4 GHz和5 GHz频段下实现高效信号放大；蓝牙和ZigBee短距离无线通信模块，提升数据传输的稳定性和覆盖范围；全球定位系统（GPS）接收机前端，用于放大来自卫星的微弱导航信号，从而提高定位精度和启动速度。
　　此外，该器件也适用于物联网（IoT）终端设备、智能家居传感器节点、无线音频传输装置以及便携式医疗监测设备等对尺寸和功耗敏感的应用场景。在这些系统中，TND311S-TL-E凭借其小封装、低功耗和优良的射频性能，帮助设计师实现高性能与小型化的平衡。它还可用于电视调谐器、FM收音机模块和其他模拟射频调谐电路中作为高频放大元件。由于其工作频率可达数GHz，因此也可用于一些UHF频段的专用无线通信系统，如无线麦克风、遥控无人机图传链路等。总之，凡是需要在GHz频段内进行低噪声放大的场合，TND311S-TL-E都是一个值得考虑的高性能选项。

MMBT3904LT1G
　　FMMT718
　　ZXTN311DS8TA
　　BC847B