TND023MP-AZ 时间：2025/5/29 11:28:38 阅读：16

TND023MP-AZ 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点。其封装形式为 TO-263 (DPAK)，适合表面贴装应用，能够有效提高功率密度并降低整体系统成本。
　　该 MOSFET 的设计旨在满足消费电子、工业设备以及汽车电子等领域的严格要求。通过优化栅极电荷和导通电阻之间的平衡，TND023MP-AZ 在高频开关应用中表现出优异的效率和可靠性。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：31A
　　导通电阻：2.8mΩ
　　栅极电荷：27nC
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃
　　封装形式：TO-263

特性

TND023MP-AZ 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（2.8mΩ），可显著减少传导损耗，提升整体效率。
　　2. 高电流承载能力（31A 连续漏极电流），适用于大功率应用场景。
　　3. 快速开关性能，得益于较低的栅极电荷（27nC），能够在高频条件下保持高效运行。
　　4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 175℃），确保在极端环境下的稳定性和可靠性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的要求。
　　6. 表面贴装封装（TO-263），简化了 PCB 设计并提高了生产自动化程度。

应用

TND023MP-AZ 可应用于多种场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器。
　　2. DC/DC 转换器中的功率开关，用于笔记本电脑适配器、服务器电源等。
　　3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
　　4. 汽车电子系统中的负载切换和电池保护功能。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. LED 照明驱动器中的高效功率转换组件。