TND023MP-AZ 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点。其封装形式为 TO-263 (DPAK),适合表面贴装应用,能够有效提高功率密度并降低整体系统成本。
该 MOSFET 的设计旨在满足消费电子、工业设备以及汽车电子等领域的严格要求。通过优化栅极电荷和导通电阻之间的平衡,TND023MP-AZ 在高频开关应用中表现出优异的效率和可靠性。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:31A
导通电阻:2.8mΩ
栅极电荷:27nC
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:TO-263
TND023MP-AZ 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(2.8mΩ),可显著减少传导损耗,提升整体效率。
2. 高电流承载能力(31A 连续漏极电流),适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷(27nC),能够在高频条件下保持高效运行。
4. 宽工作温度范围(-55℃ 至 175℃),确保在极端环境下的稳定性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品的要求。
6. 表面贴装封装(TO-263),简化了 PCB 设计并提高了生产自动化程度。
TND023MP-AZ 可应用于多种场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的功率开关,用于笔记本电脑适配器、服务器电源等。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电池保护功能。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED 照明驱动器中的高效功率转换组件。
TND023MP, IRFZ44N, FDP027NZ