电容值：220μF
　　容差：±20%
　　额定电压：25V
　　封装尺寸：7343（2917 公制）
　　介质材料：X5R
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　ESR（等效串联电阻）：低ESR设计
　　结构：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　端子类型：三端子设计（TRZ）
　　安装类型：表面贴装（SMD/SMT）

TNCB0E227MTRZT2F 具有优异的电气性能和稳定性。其三端子设计（TRZ）可以有效降低高频噪声并改善高频滤波性能，这对于需要高滤波效率的应用至关重要。由于采用了X5R介质材料，该电容器在较宽的温度范围内保持稳定的电容值，温度系数较小，适合高温环境下的应用。此外，该电容器具有低ESR（等效串联电阻），可以减少功率损耗并提高系统稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器等高频电路。其高容量（220μF）使其在去耦、滤波和能量存储方面表现出色。由于其表面贴装封装设计，TNCB0E227MTRZT2F 在自动化生产和PCB布局中具有良好的兼容性，并且能够承受较高的机械应力，适用于高振动环境。
　　该电容器还具有良好的耐久性和长寿命，能够在恶劣的工作条件下稳定运行。由于其无极性设计，TNCB0E227MTRZT2F 可以用于交流电路和脉冲电路，应用范围广泛。此外，该型号采用了环保材料，符合RoHS和REACH标准，适合环保要求较高的电子产品制造。

TNCB0E227MTRZT2F 主要应用于电源管理电路、DC-DC转换器、负载点电源（POL）、通信设备、工业控制系统、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）以及汽车电子系统。由于其优异的高频滤波性能，该电容器也常用于音频设备和射频（RF）电路中，用于噪声抑制和信号稳定性提升。

TDK的C3225X5R2E226M160AB、Murata的GRM32ER61E226KA12L、Samsung Electro-Mechanics的CL32E226MPNQNC