类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　材质：NPO（C0G）
　　标称电容值：22μF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装形式：表面贴装（SMD）
　　尺寸：未指定具体尺寸，依据系列标准

TNCA0G226MTRF 电容器的核心特性在于其优异的温度稳定性和电容精度。由于采用 NPO（C0G）介质材料，该电容器的电容值随温度变化极小，通常温度系数为 0 ppm/°C，适用于对电容稳定性要求极高的电路环境。
　　此外，该电容器具有良好的高频性能，能够在高频电路中保持稳定的阻抗特性，从而减少信号失真和噪声干扰。其表面贴装封装设计有利于自动化生产和高密度 PCB 布局，同时具有较高的机械强度和耐热性，适用于各种工业和汽车电子应用。
　　TNCA0G226MTRF 还具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高速开关电路中表现出良好的滤波性能和稳定性。这些特性使其成为精密模拟电路、射频电路和高精度定时电路的理想选择。

TNCA0G226MTRF 多层陶瓷电容器广泛应用于对电容稳定性要求极高的电子系统中。典型应用包括振荡器、滤波器、定时电路、射频放大器和精密模拟电路。在通信设备中，该电容器可用于稳定振荡器频率，提高信号传输质量。在工业控制系统中，TNCA0G226MTRF 可作为滤波电容，有效抑制电源噪声，确保系统稳定运行。此外，其优异的温度稳定性和高频性能也使其适用于汽车电子系统，如发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统和传感器模块。

GRM21BR61H226ME01K (Murata), C1210C226M5RACTU (Kemet), CL21B226MPQNNNE (Samsung Electro-Mechanics)