您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > TN5325N3-G

TN5325N3-G 发布时间 时间:2025/12/24 17:09:03 查看 阅读:14

TN5325N3-G是一款由STMicroelectronics制造的光耦合器(光电隔离器),主要用于在电气隔离的电路之间传输信号。该器件采用GaAlAs LED作为光源,结合高速光电探测器,确保了输入与输出之间的有效隔离。TN5325N3-G属于高速光耦系列,适用于需要高抗噪能力和高可靠性的应用场合。

参数

类型:高速光耦合器
  电流传输比(CTR):50%至600%(典型值)
  最大正向电流(IF):60 mA
  最大反向电压(VR):5 V
  最大集电极-发射极电压(VCE):30 V
  最大发射极-集电极电压(VEC):7 V
  工作温度范围:-55°C至+125°C
  封装类型:DIP-4
  绝缘电压:5000 VRMS

特性

TN5325N3-G具备多项显著特性,确保其在各种应用中的可靠性和性能。
  首先,该光耦合器具有较高的电流传输比(CTR),通常在50%至600%之间,这使得其能够在较宽的输入电流范围内保持稳定的输出信号。CTR的高范围也意味着在设计电路时具有更大的灵活性。
  其次,TN5325N3-G的绝缘电压高达5000 VRMS,提供了出色的电气隔离能力,能够有效防止高压侧对低压侧的影响,从而保护电路和用户的安全。这一特性使其非常适合用于需要高隔离等级的应用,如电源转换器、电机控制和工业自动化设备。
  此外,该器件采用了高速光电探测器,具有快速的响应时间,典型上升时间和下降时间均在几微秒以内。这使其非常适合用于需要快速信号传输的应用,例如数字通信、脉冲宽度调制(PWM)控制等。
  最后,TN5325N3-G的封装采用标准的DIP-4封装形式,便于在印刷电路板(PCB)上安装和布局。同时,其工作温度范围为-55°C至+125°C,确保了在极端环境条件下的稳定性和可靠性。

应用

TN5325N3-G广泛应用于需要电气隔离的电子系统中。常见的应用包括电源管理系统、工业自动化控制、变频器和电机驱动器等。在电源转换器中,TN5325N3-G可用于隔离主电路与控制电路,防止高压干扰控制电路,确保系统的稳定运行。在工业自动化系统中,该光耦合器可用于隔离传感器信号与PLC(可编程逻辑控制器),提高系统的抗干扰能力和安全性。此外,TN5325N3-G也可用于医疗设备、测试仪器和通信设备中,提供可靠的信号隔离和传输功能。

替代型号

TLP521-4, PC817, HCPL-2630

TN5325N3-G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

TN5325N3-G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

TN5325N3-G参数

  • 制造商Supertex
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压250 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流215 mA
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)7 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-92
  • 封装Bulk
  • 下降时间15 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散0.74 W
  • 上升时间15 ns
  • 工厂包装数量1000
  • 典型关闭延迟时间25 ns