时间：2025/7/23 11:20:36
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TN1625-1000G-TR 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率密度应用设计，具有低导通电阻、高效率和快速开关性能，广泛用于电源转换、电机控制、DC-DC 转换器、电池管理系统和工业自动化设备等领域。TN1625-1000G-TR 采用先进的封装技术，确保在高温和高负载条件下仍能保持稳定运行。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：160A（最大值）
漏极-源极电压（VDS）：100V（最大值）
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK SO-8 双片封装
晶体管配置：单个晶体管
TN1625-1000G-TR 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。在 VGS = 10V 时，RDS(on) 的典型值仅为 5.5mΩ，适用于需要高电流和低功耗的应用。此外，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供出色的开关性能和热稳定性。
该 MOSFET 支持高达 160A 的连续漏极电流，适用于高功率负载应用，如电机驱动和 DC-DC 转换器。其最大漏极-源极电压为 100V，可承受较高的电压应力，适合用于中高电压系统的功率控制。
TN1625-1000G-TR 采用 PowerPAK SO-8 双片封装，这种封装形式不仅减小了 PCB 占用空间，还通过双面散热设计提高了热性能。该封装支持高功率密度设计，适用于紧凑型电源模块和便携式电子设备。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于各种严苛环境下的工业和汽车应用。
TN1625-1000G-TR 主要应用于高功率密度的电力电子系统，包括但不限于以下领域：
1. DC-DC 转换器：用于高效电压调节，适用于服务器电源、电信设备和嵌入式系统。
2. 电机控制：用于电动工具、工业自动化设备和机器人系统中的电机驱动。
3. 电池管理系统：用于电动车辆（EV）、混合动力汽车（HEV）和储能系统中的电池充放电控制。
4. 电源管理模块：用于 UPS（不间断电源）、开关电源（SMPS）和电源适配器中的功率开关。
5. 工业自动化：用于工业控制系统中的负载开关、继电器替代和固态继电器设计。
SiSS1625N, SQJQ1625, CSD16410Q5BZ
