时间：2025/7/25 14:17:28
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TN0106N3-G 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的高压制程技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于各类高效率 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.022Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：24nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
TN0106N3-G 具有低导通电阻，这使得它在导通状态下具有较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。其最大漏源电压为 60V，适用于多种中压功率应用。
该器件采用先进的高压制造工艺，具有良好的热稳定性和抗过载能力。在高电流负载下，MOSFET 能够保持较低的温升，从而提高系统可靠性。
此外，TN0106N3-G 的栅极电荷较低（Qg=24nC），使得其在高频开关应用中表现出色，有助于减少开关损耗并提高转换效率。
该 MOSFET 支持 ±20V 的最大栅源电压，提供更大的驱动灵活性，适用于多种栅极驱动电路设计。
封装方面，TN0106N3-G 通常采用 TO-220 或 DPAK 等标准功率封装，便于散热和安装，适合工业级应用环境。
TN0106N3-G 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）等场景。
在电源管理领域，该器件可用于高效能电源模块的设计，支持快速开关和低功耗操作。
在 DC-DC 转换器中，TN0106N3-G 可作为主开关器件，提供高效的能量转换性能。
在电机控制和驱动电路中，该 MOSFET 可用于实现高效率的 PWM 控制，适用于电动车、电动工具和工业自动化设备。
由于其高可靠性和优异的热性能，TN0106N3-G 也广泛用于汽车电子系统、电池管理系统和储能设备中。
IRFZ44N, FDPF085N06, STN8NF06
