TMZL6250AX5DY 时间：2025/12/28 3:06:14 阅读：11

TMZL6250AX5DY是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于东芝的U-MOS系列。该系列以高性能、低导通电阻和高可靠性著称，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等场合。TMZL6250AX5DY采用小型表面贴装封装（如SOP Advance或类似高散热性能封装），适合在空间受限但对热性能有较高要求的应用中使用。该器件为N沟道MOSFET，具有优化的栅极电荷和低输入电容，有助于提升高频开关效率，减少动态损耗。其设计目标是在12V至30V的工作电压范围内提供高效能表现，适用于便携式设备、工业控制模块及通信电源系统等场景。
　　作为一款车规级（AEC-Q101认证）功率MOSFET，TMZL6250AX5DY具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，能够在恶劣环境下可靠运行。它采用了先进的沟槽式工艺技术（Trench MOS），实现了更低的导通电阻RDS(on)与更高的电流密度。此外，该器件还内置了快速体二极管，可用于反向电流续流，在同步整流等应用中表现出色。封装形式兼顾电气性能与热管理需求，便于PCB自动化装配，并支持回流焊工艺。

参数

型号：TMZL6250AX5DY
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDSS)：60V
　　最大栅源电压(VGSS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：18A @ TC=25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：72A
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ @ VGS=10V, ID=9A
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS=4.5V, ID=9A
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：1350pF @ VDS=30V
　　输出电容(Coss)：450pF @ VDS=30V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=30V
　　栅极电荷(Qg)：24nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间(td(on))：10ns
　　关断延迟时间(td(off))：20ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP Advance (Power SOP)
　　安装类型：表面贴装
　　符合RoHS标准：是
　　AEC-Q101认证：是

特性

TMZL6250AX5DY采用东芝专有的U-MOS VIII-H代沟槽工艺制造，这种先进的制造技术显著降低了单位面积的导通电阻，从而提升了整体能效。其关键优势之一是低RDS(on)，即使在低栅极驱动电压下也能保持优异的导通性能，例如在VGS=4.5V时仍可实现28mΩ的低导通电阻，这使得它非常适合用于电池供电系统或由逻辑电平信号直接驱动的应用。该器件具有出色的热稳定性，得益于优化的芯片布局与封装结构，能够有效传导热量至PCB，避免局部过热导致失效。
　　该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg = 24nC）和米勒电荷（Qgd），意味着在高频开关应用中所需的驱动功率更小，有助于提高电源转换效率并降低驱动IC的设计复杂度。同时，其输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）经过优化，减少了开关过程中的振铃现象和电磁干扰（EMI），提升了系统的EMC性能。体二极管具有快速恢复特性，反向恢复时间短，适用于需要频繁进行能量回馈的电路拓扑，如同步降压变换器。
　　由于通过了AEC-Q101车规级认证，TMZL6250AX5DY可在极端温度条件下长期稳定工作，适用于汽车电子中的各类负载开关、电机驱动、LED照明电源模块等。其封装设计增强了机械强度和耐湿性，符合MSL1等级要求，适合无铅回流焊工艺。此外，器件内部结构经过优化，具有较强的抗雪崩能力和抗浪涌电流能力，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。整体而言，TMZL6250AX5DY是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的现代功率MOSFET解决方案，适用于对效率、尺寸和可靠性均有严苛要求的应用场景。

应用

TMZL6250AX5DY广泛应用于多种高效率电源管理系统中，尤其适用于需要中等功率开关能力的场合。在DC-DC转换器中，该器件常用于同步整流拓扑结构，作为下管或上管使用，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著降低导通损耗和开关损耗，提升整体转换效率。在电池管理系统（BMS）中，它可以作为充放电控制开关，实现对锂电池组的安全通断控制，其低RDS(on)有助于减少发热，延长电池使用寿命。
　　在电机驱动领域，TMZL6250AX5DY可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，作为功率开关元件，提供精确的电流控制能力。由于其具备良好的瞬态响应特性和较高的电流承载能力，适合在启停频繁、负载变化剧烈的环境中稳定运行。此外，在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、电动座椅调节、车窗升降器、LED前大灯驱动等模块中，该器件可作为负载开关使用，实现对各子系统的电源分配与保护功能。
　　工业控制设备中也常见其身影，例如PLC输出模块、传感器供电单元、继电器替代方案等，利用其固态开关的优势替代传统机械继电器，提升系统寿命与响应速度。在通信设备电源模块中，该MOSFET可用于隔离式或非隔离式电源的次级侧同步整流，帮助实现高密度、高效率的电源设计。此外，便携式医疗设备、无人机电源管理单元以及智能家居控制器等新兴应用也越来越多地采用此类高性能MOSFET来满足节能与小型化的双重需求。