TMT30215 时间：2025/8/4 4:17:25 阅读：17

TMT30215 是一款由 TMT（东明微电子）设计的高性价比、高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件主要用于电源管理、负载开关、电机驱动等功率控制应用。TMT30215 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热稳定性。该器件封装形式通常为 TO-252（DPAK）或 TO-220，适合多种功率应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤55mΩ（@VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）/TO-220

特性

TMT30215 采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺，具有极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中具有较低的功率损耗和更高的效率。其最大漏极电流可达 30A，适用于高负载功率电路。同时，该器件具有良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的性能。此外，TMT30215 的封装形式为 TO-252 或 TO-220，便于散热和安装，适用于多种 PCB 布局和封装要求。
　　TMT30215 还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统的整体效率。其栅极驱动电压范围较宽（可支持 4.5V 至 20V），适用于多种驱动电路设计，如 PWM 控制器、DC-DC 转换器等。此外，该器件的短路耐受能力强，能够在短时间短路情况下保持稳定运行，提高系统的可靠性和安全性。