时间：2025/7/18 11:05:27
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TMS418160DZ 是由 Texas Instruments（德州仪器）推出的一款动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于TMS418xxx系列，设计用于提供高密度和高性能的存储解决方案。TMS418160DZ 的存储容量为16 Mbit（256K x 64），采用DRAM技术，适用于需要高速数据存取的应用场景。
容量：16 Mbit
组织结构：256K x 64
电源电压：5V
访问时间：55 ns / 65 ns / 70 ns（根据不同版本）
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：50
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
刷新周期：64ms
数据保持电压：2V
最大工作频率：约18MHz（根据访问时间计算）
TMS418160DZ 的核心特性之一是其高速访问时间，适用于需要快速数据处理的系统。其55ns访问时间版本可支持高达18MHz的工作频率，使得它在嵌入式系统、工业控制、通信设备以及老式计算机系统中表现优异。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗特性，尤其适合对功耗敏感的应用场景。此外，TMS418160DZ 支持异步操作，能够灵活地与多种处理器和控制器接口连接，提升了系统的兼容性和可扩展性。
这款DRAM芯片还具备自动刷新和隐藏刷新功能，能够在不中断数据访问的情况下完成存储单元的数据刷新，从而确保数据的稳定性和可靠性。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在恶劣的环境条件下正常工作，广泛适用于工业和汽车应用领域。TMS418160DZ 的TSOP封装设计不仅减小了PCB占用空间，还提高了散热性能，有助于提高系统的整体稳定性。
TMS418160DZ 主要应用于需要中等容量高速存储的电子系统中。例如，它可以用于工业控制设备中的数据缓冲、通信设备中的临时数据存储、图像处理设备中的帧缓存器，以及老式嵌入式系统的主存储器。此外，TMS418160DZ 也常用于测试设备、医疗仪器和消费类电子产品中，作为临时数据存储单元。
TMS418160DZ-65, TMS418160DZ-70
