时间：2025/12/28 17:56:46
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IS61WV6416BLL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（Static RAM，SRAM）芯片。该SRAM芯片采用CMOS技术制造，提供高速访问和低功耗的特性，适用于需要高性能和可靠存储的应用场景。IS61WV6416BLL 的存储容量为64K x 16位，即总容量为1Mbit，适用于各种嵌入式系统和数据缓存应用。
供电电压：2.3V - 3.6V
访问时间：10ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54引脚TSOP（Thin Small Outline Package）
输入/输出电压兼容性：与5V逻辑兼容
功耗（最大）：工作模式下约360mA，待机模式下约10mA
IS61WV6416BLL SRAM芯片具有多项显著的技术特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其高速访问时间为10ns，能够满足高速数据处理和实时系统的需求，提高整体系统性能。其次，该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），具有良好的电压适应性，适用于多种电源设计。此外，该SRAM芯片具备低待机功耗特性，在待机模式下的电流消耗仅为约10mA，有助于降低系统整体功耗，提高能效。
IS61WV6416BLL 采用CMOS工艺制造，具有高噪声抑制能力，能够在复杂电磁环境中保持稳定运行。其54引脚TSOP封装形式不仅节省空间，还便于在高密度PCB设计中使用。同时，该芯片的输入/输出引脚与5V逻辑兼容，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计，提高了电路的兼容性和可靠性。
该SRAM芯片还支持异步操作，适用于多种嵌入式系统和微控制器应用，如网络设备、通信模块、工业控制设备和消费类电子产品。其高稳定性和耐用性使其成为许多关键应用的理想选择。
IS61WV6416BLL广泛应用于需要高性能存储的嵌入式系统，如工业控制设备、通信模块、网络设备、测试仪器和消费类电子产品。该芯片适用于需要高速数据读写和低功耗特性的场合，例如缓存存储、图像处理、数据缓冲和临时数据存储等。此外，它也常用于微控制器系统中的外部存储扩展，以提升系统运行效率。
IS61WV6416BLL-10TLI、IS61LV6416-10T、CY62167EVLL、IDT71V416
