TMS25124C 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于高性能、低功耗的CMOS SRAM系列,广泛应用于需要高速存储访问的电子设备中,例如通信设备、工业控制系统、嵌入式系统和计算机外围设备等。TMS25124C 提供了 16K x 8 位的存储容量,采用标准的异步访问方式,适用于各种需要高速数据存取的应用场景。
容量:16K x 8 位
电源电压:4.5V 至 5.5V
工作温度范围:0°C 至 70°C(商业级)
封装类型:28引脚 DIP、28引脚 SOIC
访问时间:10 ns(最大)
功耗:典型值 120 mA
数据保持电压:3.0V 最小
封装尺寸:300 mil(DIP)、300 mil(SOIC)
TMS25124C 是一款高性能的异步 SRAM 芯片,其核心优势在于其高速访问能力和低功耗设计。该芯片的访问时间低至 10 ns,使得其适用于需要快速数据读写的高性能系统。此外,TMS25124C 的 CMOS 技术确保了在高速操作的同时仍能保持较低的功耗,这对于电池供电或对功耗敏感的应用尤为重要。
该芯片支持标准的TTL兼容输入和输出信号,使其能够轻松集成到现有系统中。其异步控制信号(如地址锁存使能、输出使能和写使能)允许灵活的时序控制,适用于多种不同的系统架构。
为了确保数据在断电或低电压情况下不丢失,TMS25124C 提供了低至 3.0V 的数据保持电压,确保即使在电源电压下降的情况下,数据仍可被安全保存。这一特性使其非常适合用于需要高可靠性的应用场合。
从封装角度来看,TMS25124C 提供了 28 引脚 DIP 和 SOIC 两种封装形式,方便用户根据 PCB 设计需求选择适合的封装类型。
TMS25124C 由于其高速访问能力和低功耗特性,广泛应用于各种嵌入式系统和工业控制设备中。例如,在工业自动化系统中,它可以用作高速缓存或临时数据存储器,以提高系统响应速度和数据处理效率。在通信设备中,该芯片可以作为帧缓冲器或协议处理的临时存储单元,提升数据传输的稳定性和效率。
在计算机外围设备中,如打印机、扫描仪和图形加速卡中,TMS25124C 也常被用于存储图像数据或执行高速缓存功能,确保设备能够快速响应主机指令。此外,它还适用于测试测量设备,如示波器和逻辑分析仪,用于存储采集到的数据样本。
由于其数据保持能力,TMS25124C 在需要断电后仍保留关键数据的应用中也非常受欢迎,例如智能电表、医疗设备和安全系统等。这些应用场景通常要求在主电源断开后,关键数据仍能保持不丢失,从而确保系统的可靠性和安全性。
CY62167VLL-55BZS, IS62LV256AL-55TLI, IDT71V016SA-10P