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TMS 25112F 发布时间 时间:2025/8/4 9:14:44 查看 阅读:11

TMS25112F 是德州仪器(Texas Instruments)生产的一款存储器芯片,属于TMS25000系列。这款芯片是一种256K x 4位的CMOS静态随机存取存储器(SRAM),具有高速访问时间和低功耗特性。TMS25112F主要用于需要高速存储访问的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备。

参数

类型:SRAM
  容量:256K x 4位
  电压范围:2.3V至3.6V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  功耗:典型值为120mA(待机模式下为10mA)

特性

TMS25112F SRAM芯片具有多项高性能特性,适用于多种工业和通信应用场景。其高速访问时间为10ns,能够支持快速的数据读写操作,提高系统响应速度。芯片的电压范围为2.3V至3.6V,提供了较大的电源适应范围,便于在不同的系统设计中使用。TMS25112F的低功耗设计在待机模式下的电流消耗仅为10mA,有助于降低整体功耗,适用于对功耗敏感的应用。
  该芯片采用54引脚TSOP封装,具有较小的封装尺寸,适合高密度PCB布局。TMS25112F的工作温度范围为-40°C至+85°C,能够满足工业级温度要求,适用于各种严苛的工作环境。此外,该SRAM芯片具备良好的抗干扰能力和稳定性,适合用于高可靠性系统中。

应用

TMS25112F广泛应用于工业控制系统、数据采集设备、通信模块、网络设备以及嵌入式系统中。作为高速缓存或主存储器使用,它可以提升系统的数据处理能力和响应速度。例如,在工业自动化系统中,TMS25112F可用于存储实时数据和程序代码,确保系统的高效运行。在通信设备中,该芯片可作为数据缓冲器,用于处理高速数据流。此外,TMS25112F还可用于消费类电子产品,如高端音视频设备和智能家电,提供快速稳定的存储支持。

替代型号

IS61LV25616-10TLI、CY62148EVLL-45ZS、IDT71V416S10PFG

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TMS 25112F产品

TMS 25112F参数

  • 宽度51mm
  • 封装类型封闭
  • 平均故障间隔时间250000h
  • 效能78%
  • 最低温度-25°C
  • 最高温度+60°C
  • 深度29mm
  • 纹波和噪声100mV Pk-Pk
  • 线路调节±0.4%
  • 负载调节±1%
  • 输入电压110 → 375 V dc, 85 → 264 V ac
  • 输出数目1
  • 输出电压12V 直流
  • 输出电流2000mA
  • 重量150g
  • 长度96mm
  • 额定功率25W