TMPF20N50G 时间：2025/8/6 20:34:17 阅读：31

TMPF20N50G 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和高电流处理能力，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制等高效率应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.23Ω（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220F

特性

TMPF20N50G 具有优异的电气性能和可靠性，适用于高功率密度设计。其主要特性包括：
　　1. 高耐压能力：漏源电压（Vds）最大可达500V，使其适用于中高压功率转换应用。
　　2. 低导通电阻：典型Rds(on)为0.23Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　3. 高电流处理能力：连续漏极电流可达20A，满足高功率输出需求。
　　4. 高功率耗散能力：150W的功率耗散能力允许器件在较高温度下稳定工作。
　　5. 优化的封装设计：采用TO-220F封装，具有良好的热管理和电气隔离性能，便于安装在散热器上。
　　6. 高可靠性：器件在高温和高压环境下表现出良好的稳定性，适合工业级应用环境。

应用

TMPF20N50G 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的场合，包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：如服务器电源、工业电源、通信设备电源等。
　　2. DC-DC转换器：用于电动汽车、储能系统和工业控制设备中的电压调节。
　　3. 电机驱动和控制：如变频器、伺服驱动器和电机控制器。
　　4. 充电器和逆变器：适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和电动车充电器。
　　5. 工业自动化设备：作为功率开关用于控制大功率负载。
　　6. 电子负载和测试设备：用于高电压测试环境下的电子负载控制。