2SK1316S是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件设计用于在高频开关条件下工作,具有低导通电阻和良好的热稳定性,适合用于DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理系统等应用。其封装形式为SOT-223,具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):100V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):4A
漏极功耗(Pd):1.25W
导通电阻(Rds(on)):0.65Ω
工作温度范围:-55℃~150℃
封装形式:SOT-223
2SK1316S具有多个关键特性,使其在多种电源管理应用中表现出色。首先,其N沟道增强型结构提供了较高的开关速度和较低的导通损耗,这对于高频开关应用非常重要。其次,漏极-源极电压额定值为100V,使其能够承受较高的电压应力,适用于中高功率的电源转换应用。
此外,2SK1316S的栅极-源极电压额定值为±20V,提供了较高的栅极驱动稳定性,防止因过高的栅极电压而导致器件损坏。连续漏极电流额定值为4A,使其能够处理较大的负载电流,适用于需要较高输出能力的电路设计。
最后,采用SOT-223封装,这种封装形式不仅具有良好的散热性能,还能提供较高的机械强度和可靠性,适用于紧凑型电子设备的设计。
2SK1316S广泛应用于多种电子设备和系统中,特别是在需要高效率和高性能的电源管理领域。其典型应用包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器和电池管理系统。在DC-DC转换器中,2SK1316S可以作为主开关器件,提供高效的能量转换。在电机驱动器中,该器件可以实现精确的电流控制和快速的开关操作,提高系统的响应速度和能效。此外,2SK1316S还可用于负载开关、LED驱动器和各种电源管理系统,确保设备在不同工作条件下的稳定运行。
2SK2545, 2SK3018, 2SK170BL