时间：2025/8/20 18:26:31
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STGW75H65DFB2-4 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率模块，专为高效率、高可靠性的工业应用设计。该模块集成了多个IGBT芯片和反向并联的二极管，采用双列直插式封装（Dual Flat No-lead封装），具有良好的热性能和电气性能。STGW75H65DFB2-4适用于电机驱动、变频器、电焊机、UPS不间断电源以及新能源汽车充电设备等高功率应用场景。
制造商：STMicroelectronics
产品类型：IGBT模块
集电极-发射极电压（VCES）：650V
额定集电极电流（IC）：75A
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：DFN（双列直插无引脚）
安装类型：表面贴装（SMD）
短路耐受能力：6μs（典型值）
栅极驱动电压范围：±20V
短路电流限制：150A（典型值）
最大工作频率：20kHz
热阻（Rth）：约1.2°C/W（结到壳）
STGW75H65DFB2-4采用先进的沟槽栅场截止（Trench Field Stop）IGBT技术，具有极低的导通压降和开关损耗，从而提高了整体能效。该模块内部集成有快速恢复二极管，具有较低的反向恢复损耗，适合高频应用。其封装设计优化了热管理和电气性能，具有良好的散热能力，确保在高功率密度下的稳定运行。此外，该模块具有较强的短路耐受能力，能够在极端工况下保持器件的可靠性和安全性。STGW75H65DFB2-4还具备良好的EMI（电磁干扰）抑制能力，有助于减少外部滤波元件的使用，降低系统成本。模块内部的芯片并联结构提高了电流承载能力，并确保电流分布均匀，减少了热应力和热斑效应。
STGW75H65DFB2-4广泛应用于工业自动化、电机控制、伺服驱动器、逆变器、UPS不间断电源、焊接设备、新能源汽车充电系统以及太阳能逆变器等高功率电子系统中。由于其高集成度、高效能和高可靠性，特别适合用于需要紧凑设计和高效能表现的现代电力电子设备。
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