类型：功率MOSFET模块
　　额定电压：1200V
　　额定电流：65A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：表面贴装（SOP）
　　引脚数：14
　　最大耗散功率：150W
　　栅极电荷：250nC（典型值）
　　短路耐受能力：支持

TMPA1265SP-1R8MN-D功率MOSFET模块具备多项优异特性，适用于高功率密度和高效能转换系统。其导通电阻仅为1.8mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该模块的额定电压为1200V，额定电流为65A，适用于中高功率级别的应用。此外，其表面贴装封装形式不仅节省空间，还提高了模块的散热性能，使其能够在高负载下稳定工作。
　　该器件具有较高的短路耐受能力，能够承受一定的过载和短路冲击，提高系统的可靠性和稳定性。模块内置双MOSFET结构，适用于半桥、全桥、LLC谐振转换器等拓扑结构，广泛用于电源、逆变器和电机驱动等应用中。
　　在热管理方面，该模块采用先进的封装技术，确保在高功率运行时仍能保持较低的结温。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛的工业环境。此外，该模块的栅极电荷为250nC，保证了较快的开关速度，从而降低开关损耗，提高整体能效。

TMPA1265SP-1R8MN-D广泛应用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。典型应用包括服务器电源、通信电源、工业电源、逆变器、电机驱动系统、电动汽车充电模块以及太阳能逆变器等。其高耐压和低导通电阻的特性使其特别适合用于DC-DC转换器、AC-DC转换器以及各种高频开关电源系统。
　　由于其双MOSFET结构和良好的热管理性能，该模块在LLC谐振转换器、PFC（功率因数校正）电路以及全桥/半桥拓扑结构中表现出色。此外，在电机控制和工业自动化设备中，该模块也能提供稳定可靠的功率切换功能，满足高负载需求。

TK65H120X2K-S12MA1B,TMPA1265SP-1R8MN-K,TMPA1265SP-1R8MN-E