时间：2025/8/4 3:59:43
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TMM 40112C 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有高速读写性能、低功耗和高可靠性，广泛应用于嵌入式系统、工业控制、通信设备和计算机外围设备中。TMM 40112C 是一个 4K x 8 位（即总共 32K 位）的异步 SRAM，采用标准 CMOS 工艺制造，适用于对功耗和稳定性要求较高的应用场景。
容量：32K 位（4K x 8）
组织方式：x8
电源电压：+5V 单电源供电
访问时间（tRC）：最大 55 ns
读取时间（tAA）：最大 55 ns
工作温度范围：0°C 至 70°C（商业级）或 -40°C 至 +85°C（工业级）
封装形式：28 引脚 DIP、28 引脚 SOIC
输入/输出电平：TTL 兼容
最大工作频率：约 18 MHz
封装尺寸：依据封装类型而定
功耗：典型 200 mA（最大 300 mA）
TMM 40112C 的核心特性之一是其异步 SRAM 架构，使得它在没有时钟信号的情况下也能快速响应读写请求，适用于多种微处理器和控制器的存储扩展需求。
该芯片采用标准的地址和数据总线接口，支持常见的读写操作模式，便于与各种嵌入式系统集成。其高速访问时间（最大 55 ns）确保了系统性能不会因存储器延迟而受到明显影响。
此外，TMM 40112C 采用 CMOS 工艺制造，具有较低的静态功耗，适合需要节能的应用场景。同时，其 TTL 输入/输出兼容性使得与传统逻辑电路的连接更加方便。
该芯片还具备较强的温度适应能力，部分型号支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在严苛环境下的稳定运行。
最后，TMM 40112C 提供了可靠的存储解决方案，适用于缓存、数据缓冲、临时存储等需要高速访问和非易失性存储的场合。
TMM 40112C 广泛应用于需要高速、低功耗 SRAM 的场合，例如微控制器系统中的外部存储器扩展、通信设备中的数据缓存、工业控制系统中的临时数据存储等。
由于其异步操作特性，它特别适用于与传统处理器（如 8 位或 16 位微控制器）配合使用，提供快速的数据访问能力。
此外，TMM 40112C 还常用于测试设备、医疗仪器、打印机和网络设备中，作为高速缓冲存储器或临时数据存储单元。
在嵌入式系统中，该芯片也常被用作程序存储器或变量存储器，以提高系统整体性能和响应速度。
IDT71V016S、CY62148EVLL、IS62WV2568BLL、AS7C34098A、ISSI IS61LV25616AL
