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TMK325F475ZH-T 发布时间 时间:2025/12/27 9:43:02 查看 阅读:15

TMK325F475ZH-T是一款由Taiyo Yuden(太阳诱电)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),主要用于电子电路中的去耦、滤波和旁路等应用。该器件属于该公司高容量、小尺寸的高性能电容产品线,适用于需要稳定电容性能和高可靠性的现代电子设备。其紧凑的封装设计使其非常适合在空间受限的印刷电路板(PCB)上使用,同时具备良好的高频响应特性,能够有效抑制噪声并提升电源稳定性。
  该型号采用镍阻挡层端子电极结构,并经过特殊的材料与工艺优化,具备较强的抗热冲击和机械应力能力,适合回流焊工艺。作为一款X7R温度特性的电容器,它能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化不超过±15%,因此适用于工业级、汽车级以及消费类电子产品中对温度稳定性有一定要求的应用场景。

参数

电容值:4.7μF
  容差:±20%
  额定电压:25V
  温度特性:X7R(-55°C 至 +125°C,ΔC/C ≤ ±15%)
  封装尺寸:1210(3225公制)
  电极结构:Ni/Sn(镍阻挡层,表面镀锡)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  绝缘电阻:≥500MΩ 或 ≥100S/C(取较大值)
  最大纹波电流:依据具体应用条件而定
  老化率:≤2.5%每十年(在+25°C下)

特性

TMK325F475ZH-T具备优异的电容稳定性与可靠性,其X7R介电材料确保了在宽温度范围内电容值的变化控制在±15%以内,这使得它在环境温度波动较大的应用中依然能保持稳定的电气性能。该电容器采用先进的叠层陶瓷制造工艺,内部电极交错排列,显著降低了等效串联电感(ESL),从而提升了高频去耦能力,特别适合用于开关电源输出端的滤波电路或高速数字IC的电源引脚旁路。
  该器件具有较高的体积效率,在1210(3.2mm x 2.5mm)的小型封装内实现了4.7μF的大容量,满足现代电子产品小型化、高密度布局的需求。同时,其镍阻挡层端子设计增强了抗硫化能力和焊接可靠性,防止因银迁移导致的短路失效,提高了长期使用的稳定性,尤其适用于工业控制、汽车电子等严苛环境。
  此外,TMK325F475ZH-T通过了AEC-Q200等可靠性认证,符合RoHS和REACH环保标准,支持无铅回流焊工艺,兼容自动化贴装流程。其低等效串联电阻(ESR)特性有助于减少发热,提高电源系统的整体效率。由于采用了多层结构,该电容还具备良好的机械强度和抗热循环能力,能够在多次温度冲击下保持性能稳定,避免裂纹产生导致的早期失效。

应用

广泛应用于各类需要高稳定性和大容量去耦的电子系统中,包括但不限于:便携式通信设备中的射频模块电源滤波;笔记本电脑、平板及服务器主板上的DC-DC转换器输出滤波;工业自动化控制器中的电源管理单元;车载信息娱乐系统和ADAS模块的电源去耦;医疗电子设备中对噪声敏感的模拟前端电路;以及各类高可靠性嵌入式系统的旁路与储能应用。由于其宽温特性和高可靠性,也常被用于户外监控设备、电力仪表和新能源逆变器等恶劣环境下的电子装置中。

替代型号

GRM32ER7EA475NA120
  C3225X7R1E475K160AC
  CL32E475KCIVPNC

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TMK325F475ZH-T参数

  • 制造商Taiyo Yuden
  • 电容4.7 uF
  • 容差- 20 %, + 80 %
  • 电压额定值25 Volts
  • 温度系数/代码Y5V
  • 外壳代码 - in1210
  • 外壳代码 - mm3225
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品Low ESR MLCCs
  • 封装Reel
  • Capacitance - nF4700 nF
  • 尺寸2.5 mm W x 3.2 mm L x 2.5 mm H
  • 封装 / 箱体1210 (3225 metric)
  • 系列M
  • 端接类型SMD/SMT