时间：2025/4/29 12:01:06
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TMK325BJ226MM-T 是一款基于硅技术的高压功率 MOSFET，专为高效率和高性能应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的开关特性和低导通电阻，能够显著提升电源转换效率。
此芯片主要应用于工业级和消费电子领域，例如开关电源、电机驱动、逆变器以及 DC-DC 转换器等场景。其卓越的热性能和可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。
类型：MOSFET
极性：N沟道
电压（Vds）：800V
电流（Id）：22A
导通电阻（Rds(on)）：140mΩ
栅极电荷（Qg）：70nC
功耗（Ptot）：225W
封装：TO-247
1. 高击穿电压（800V），确保在高压环境下稳定工作。
2. 极低的导通电阻（140mΩ），减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关能力，适合高频应用。
4. 优秀的热性能，支持长时间高负载运行。
5. 具备良好的短路耐受能力，增强系统可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电路中。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 太阳能逆变器
4. 工业用 DC-DC 转换器
5. 电动工具及家用电器中的功率管理
6. 高压大电流电路保护
IRFP460, STW83N80, FDP18N80C
