时间：2025/5/23 3:36:44
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TMK325B7475MNHT是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用TO-263封装形式。该器件适用于各种高功率和高频应用场合，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能等特性。这种MOSFET通常用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等领域，能够有效提升系统效率并降低能耗。
作为N沟道增强型场效应晶体管，它通过栅极电压控制漏极电流，从而实现对负载的有效调节。同时，其设计考虑了在高电流密度下的稳定性与可靠性，确保长时间运行的高效性和耐用性。
最大漏源电压：75V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.8mΩ
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为1.8mΩ，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合现代电力电子设备的需求。
3. 良好的热性能，具备较高的结温承受能力，能够适应恶劣的工作环境。
4. 强大的浪涌电流处理能力，增强了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 高可靠性设计，经过严格测试以保证长期稳定运行。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级管理。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的负载切换组件。
IRFZ44N
FDP5500
STP28NF06L
