TMK325B7475MNHT是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用TO-263封装形式。该器件适用于各种高功率和高频应用场合,具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能等特性。这种MOSFET通常用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等领域,能够有效提升系统效率并降低能耗。
作为N沟道增强型场效应晶体管,它通过栅极电压控制漏极电流,从而实现对负载的有效调节。同时,其设计考虑了在高电流密度下的稳定性与可靠性,确保长时间运行的高效性和耐用性。
最大漏源电压:75V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:28A
导通电阻:1.8mΩ
总功耗:180W
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为1.8mΩ,有助于减少传导损耗,提高整体效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代电力电子设备的需求。
3. 良好的热性能,具备较高的结温承受能力,能够适应恶劣的工作环境。
4. 强大的浪涌电流处理能力,增强了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 高可靠性设计,经过严格测试以保证长期稳定运行。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级管理。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的负载切换组件。
IRFZ44N
FDP5500
STP28NF06L