TMK325B7335KN-T是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,适用于中高电压场景下的功率转换和控制。其封装形式为TO-247,适合大功率散热设计,能够满足工业级和汽车级应用的需求。
最大漏源电压:750V
连续漏极电流:35A
导通电阻:0.06Ω
栅极电荷:120nC
总电容:2800pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
TMK325B7335KN-T具有以下主要特性:
1. 低导通电阻设计,在高电流条件下能够减少功率损耗,提高效率。
2. 高击穿电压支持高达750V的工作环境,适用于高压应用场景。
3. 快速开关能力使得其在高频开关电路中表现优异。
4. 内置ESD保护功能,提升了器件的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
6. 支持极端温度范围,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 太阳能逆变器及风能发电系统的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的功率调节部分。
5. 汽车电子系统中的负载开关和电源管理。
6. 不间断电源(UPS)和其他需要高效功率转换的场合。
TMK325B7335KN-H, IRFP260N, STW140N65DM2