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TMK325B7335KN-T 发布时间 时间:2025/7/1 19:22:55 查看 阅读:22

TMK325B7335KN-T是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,适用于中高电压场景下的功率转换和控制。其封装形式为TO-247,适合大功率散热设计,能够满足工业级和汽车级应用的需求。

参数

最大漏源电压:750V
  连续漏极电流:35A
  导通电阻:0.06Ω
  栅极电荷:120nC
  总电容:2800pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

TMK325B7335KN-T具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻设计,在高电流条件下能够减少功率损耗,提高效率。
  2. 高击穿电压支持高达750V的工作环境,适用于高压应用场景。
  3. 快速开关能力使得其在高频开关电路中表现优异。
  4. 内置ESD保护功能,提升了器件的抗静电能力。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
  6. 支持极端温度范围,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  3. 太阳能逆变器及风能发电系统的功率转换模块。
  4. 工业自动化设备中的功率调节部分。
  5. 汽车电子系统中的负载开关和电源管理。
  6. 不间断电源(UPS)和其他需要高效功率转换的场合。

替代型号

TMK325B7335KN-H, IRFP260N, STW140N65DM2

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TMK325B7335KN-T参数

  • 标准包装2,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容3.3µF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±10%
  • 温度系数X7R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 尺寸/尺寸0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.083"(2.10mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-
  • 其它名称CE TMK325 B7335KN-TTMK325BJ335KN-TTMK325BJ335KN-T-ND