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TMK325B7226MM-T 发布时间 时间:2025/12/27 10:36:13 查看 阅读:19

TMK325B7226MM-T是一款由TDK公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC),专为高性能电子设备设计。该电容器采用先进的材料和制造工艺,具有高可靠性、低等效串联电阻(ESR)以及优良的温度稳定性,广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制系统以及汽车电子等领域。该器件属于X7R温度特性系列,具备在-55°C至+125°C的宽温范围内保持稳定的电容值的能力,使其适用于对温度变化敏感的应用场景。其小型化封装符合当前电子产品向轻薄短小发展的趋势,0805(2012公制)封装尺寸在空间受限的设计中具有显著优势。此外,该电容器符合RoHS环保标准,不含铅等有害物质,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色制造要求。TMK325B7226MM-T采用镍阻挡层电极结构,增强了抗硫化能力,提高了在恶劣环境下的长期可靠性,尤其适合工业和汽车应用中可能存在的高湿度或污染环境。

参数

型号:TMK325B7226MM-T
  品牌:TDK
  电容值:22μF
  额定电压:25V
  温度特性:X7R(±15%)
  电容容差:±20%
  封装尺寸:0805(2.0mm x 1.25mm)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  介质材料:陶瓷
  电极结构:Ni/Sn(镍/锡)
  抗硫化能力:有
  安装类型:表面贴装(SMD)
  直流偏压特性:随电压增加电容值下降
  老化率:≤2.5%每十年(典型值)
  等效串联电阻(ESR):低(具体值需参考数据手册)
  绝缘电阻:≥500MΩ 或 ≥100Ω·μF(取较大值)
  耐焊热性:通过JEDEC J-STD-020标准
  包装形式:卷带编带,用于自动贴片机
  电容等级:工业级/汽车级(AEC-Q200兼容性需确认)

特性

TMK325B7226MM-T作为一款高性能多层陶瓷电容器,其核心特性之一是采用了X7R介质材料,这种材料在-55°C至+125°C的宽温度范围内能够保持电容值的相对稳定,偏差控制在±15%以内,这使得它非常适合用于需要在极端温度条件下仍能维持电路性能稳定的场合。相较于Z5U或Y5V等温度特性较差的陶瓷电容,X7R材料提供了更可靠的电气性能,尤其在电源去耦、滤波和旁路应用中表现优异。
  该电容器的22μF大容量与25V额定电压组合,在0805小型封装中实现了较高的体积效率,满足了现代高密度PCB布局的需求。尽管MLCC在施加直流偏压时会出现电容下降现象,但TMK325B7226MM-T通过优化内部电介质层结构和材料配方,尽可能减缓了这一效应,确保在实际工作电压下仍能提供足够的有效电容值。此外,其低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)特性使其在高频噪声抑制方面表现出色,可有效提升电源系统的稳定性。
  另一个关键特性是其镍阻挡层电极结构,该设计显著提升了电容器的抗硫化能力。在含硫环境中(如工业大气或汽车排气附近),普通银电极容易发生硫化反应导致开路失效,而镍阻挡层能有效阻止硫元素渗透,从而延长器件寿命。这一特性使该产品特别适用于汽车电子、户外通信设备和工业自动化系统等严苛环境。
  该器件还具备良好的机械强度和耐热冲击性能,符合JIS C 5102和EIA标准,支持回流焊工艺,并通过了严格的可靠性测试,包括高温高湿偏压测试(H3TRB)、温度循环测试等。其卷带包装形式便于自动化贴片生产,提升了制造效率和一致性。

应用

TMK325B7226MM-T广泛应用于各类需要稳定电容性能和高可靠性的电子系统中。在电源管理电路中,它常被用作输入/输出滤波电容,配合DC-DC转换器、LDO稳压器等使用,以平滑电压波动、抑制纹波噪声并提高瞬态响应能力。由于其低ESR特性,能够在高频开关电源中有效降低损耗,提升整体效率。
  在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能穿戴设备中,该电容器用于处理器供电去耦、内存模块旁路以及射频模块的电源净化,确保高速数字信号的完整性。其小型封装有助于节省宝贵的PCB空间,适应紧凑型设备的设计需求。
  在工业控制领域,TMK325B7226MM-T可用于PLC控制器、传感器接口电路、电机驱动器和人机界面设备中,提供稳定的电源支撑和抗干扰能力。其宽温特性和抗硫化设计使其能在工厂车间、户外监控等复杂环境中长期可靠运行。
  在汽车电子方面,虽然是否通过AEC-Q200认证需查阅具体数据手册,但其性能参数表明其具备用于车身电子、信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶模块的潜力。例如,在车载摄像头模组或雷达系统中,该电容可用于电源轨的噪声滤除,保障信号处理芯片的稳定工作。
  此外,该器件也适用于医疗设备、网络通信设备和物联网终端等对元器件寿命和稳定性要求较高的应用场景。

替代型号

CL21B226MPQNNNE

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